-
公开(公告)号：CN119070796A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411085483.X
申请日：2024-08-08
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H03K17/567 , H03K17/687 , G06F30/32
Abstract: 本发明公开了一种基于堆叠封装结构的半导体功率开关组件及其设计方法，解决了现有开关组件中的功率器件难以满足开关的小型化的需求、杂散参数多、稳定性差的问题，具体是采用立体堆叠的封装方式代替传统的阵列式平铺，缩小封装尺寸，减小半导体功率器件的布线间距，引入的寄生杂散参数少，避免了因压接带来芯片受力不均匀导致稳定性差和封装尺寸大、安装不便的问题。本发明采用植球的层间互联工艺，通流能力强，电气连接可靠，保证了组件的绝缘性能并降低了工艺难度；采用铜框架的引线方式，散热性能好，工作稳定。
-
公开(公告)号：CN115021083B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210610660.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷封装密封式低抖动自击穿气体开关，解决现有技术中存在的气体开关工作在工作时，产生电极烧蚀、气体压力变化、气体成分分解等物理现象，影响开关的正常工作和使用寿命以及现有的气体开关无法满足开关内的工作气压数倍于标准大气压的问题；包括陶瓷封装模块、气体净化模块、电极模块、电场屏蔽模块以及电接触连接模块；电极模块与气体净化模块设置在陶瓷封装模块内部，电极模块的阳极端与陶瓷封装模块的阳极端连接，电极模块的阴极端与气体净化模块的一端连接，气体净化模块的另一端与陶瓷封装模块的阴极端连接；电接触连接模块包括第一连接结构、第二连接结构、第三连接结构；电场屏蔽模块安装在陶瓷封装模块的两端。
-
公开(公告)号：CN115021083A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210610660.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷封装密封式低抖动自击穿气体开关，解决现有技术中存在的气体开关工作在工作时，产生电极烧蚀、气体压力变化、气体成分分解等物理现象，影响开关的正常工作和使用寿命以及现有的气体开关无法满足开关内的工作气压数倍于标准大气压的问题；包括陶瓷封装模块、气体净化模块、电极模块、电场屏蔽模块以及电接触连接模块；电极模块与气体净化模块设置在陶瓷封装模块内部，电极模块的阳极端与陶瓷封装模块的阳极端连接，电极模块的阴极端与气体净化模块的一端连接，气体净化模块的另一端与陶瓷封装模块的阴极端连接；电接触连接模块包括第一连接结构、第二连接结构、第三连接结构；电场屏蔽模块安装在陶瓷封装模块的两端。
-
公开(公告)号：CN115149402B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210612857.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01T1/24
Abstract: 本发明涉及一种多级自击穿气体开关、脉冲功率装置及开关研制方法；解决现有的多级自击穿式开关存在自击穿抖动较大的技术问题；气体开关具体包括依次设置的多个电极以及连接每两个相邻电极的绝缘介质；相邻两个电极之间存在放电间隙；电极的阴极电极材料为铸铁；铸铁内石墨的尺寸与分布满足：定义铸铁中石墨的数量为A、任意方向长度大于0.1mm的石墨总数量为B、所有石墨最长尺寸的平均值为L、所有任意相邻两个石墨之间间距的平均值为D；则需满足：B＞90％A；L/D＝0.1～1；本发明还提出了基于等自击穿概率的多级气体开关的研制方法和计算模型，解决了多级等自击穿概率型气体开关无设计模型的问题，节省了开关设计的大量时间和试验成本。
-
公开(公告)号：CN115021084B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210610667.8
申请日：2022-05-31
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种含优先击穿间隙的多级自击穿气体火花开关研制方法；解决多级开关设计过程中需要耗费的大量迭代试验和时间成本的问题；首先构建单放电间隙自击穿概率函数，其次进行多级自击穿气体火花开关的结构设计，最后基于单放电间隙自击穿概率函数对多级自击穿气体火花开关的结构设计进行修正，直到满足设计需求，完成多级自击穿气体火花开关的制备；本发明建立了一种含优先击穿间隙的多级自击穿气体火花开关研制方法和计算模型，解决了多级开关无设计模型的问题，节省了开关设计的大量时间和试验成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115149402A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210612857.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01T1/24
Abstract: 本发明涉及一种多级自击穿气体开关、脉冲功率装置及开关研制方法；解决现有的多级自击穿式开关存在自击穿抖动较大的技术问题；气体开关具体包括依次设置的多个电极以及连接每两个相邻电极的绝缘介质；相邻两个电极之间存在放电间隙；电极的阴极电极材料为铸铁；铸铁内石墨的尺寸与分布满足：定义铸铁中石墨的数量为A、任意方向长度大于0.1mm的石墨总数量为B、所有石墨最长尺寸的平均值为L、所有任意相邻两个石墨之间间距的平均值为D；则需满足：B＞90％A；L/D＝0.1～1；本发明还提出了基于等自击穿概率的多级气体开关的研制方法和计算模型，解决了多级等自击穿概率型气体开关无设计模型的问题，节省了开关设计的大量时间和试验成本。
-
公开(公告)号：CN115425523B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211041621.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种弱激光能量触发的重复频率气体开关及其实现方法，主要解决现有的光导开关在应用于重复频率气体开关时容易因为过电压和过电流失效的技术问题。包括以下步骤：将光导开关P、反转电感L和限流电阻R串联构成触发回路，然后将触发回路的两端分别与三电极开关中触发间隙C2的两端电连接；开关电源在高压电极板和低压电极板之间加载脉冲高电压，触发光导开关P使其导通触发间隙C2向触发回路放电，形成LCR振荡，使得触发电极板上的电位发生改变，在过压击穿间隙C1上产生过电压，使过压击穿间隙C1迅速发生过电压击穿；过压击穿间隙C1发生过电压击穿后，在触发间隙C2形成过电压，使触发间隙C2发生过电压击穿；完成气体开关的开启。
-
公开(公告)号：CN119008205A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411092541.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种多磁芯整体励磁电路及多级LTD系统，解决了现有多级LTD系统中存在多个励磁电路，增加了系统复杂度，任意一路励磁电路故障都将使该路磁芯在工作时出现饱和，导致整个LTD系统效率降低，且故障定位困难，增加了系统修复成本，不利于系统长时间安全可靠运行的技术问题。同时，针对LTD正常工作状态下次级线圈中承载脉冲高电压的特点，采用串联电感的方式解决高压绝缘问题。本发明通过隔离电感和内导体形成励磁回路，通过隔离电感和滤波电容等将励磁电源与驱动源(LTD)的高压输出进行隔离，实现了单个励磁电源对多个磁芯进行整体励磁，且完成励磁电源与驱动源高压输出之间的隔离，能够简化驱动源励磁电路，提高其工作可靠性。
-
公开(公告)号：CN115425523A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211041621.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种弱激光能量触发的重复频率气体开关及其实现方法，主要解决现有的光导开关在应用于重复频率气体开关时容易因为过电压和过电流失效的技术问题。包括以下步骤：将光导开关P、反转电感L和限流电阻R串联构成触发回路，然后将触发回路的两端分别与三电极开关中触发间隙C2的两端电连接；开关电源在高压电极板和低压电极板之间加载脉冲高电压，触发光导开关P使其导通触发间隙C2向触发回路放电，形成LCR振荡，使得触发电极板上的电位发生改变，在过压击穿间隙C1上产生过电压，使过压击穿间隙C1迅速发生过电压击穿；过压击穿间隙C1发生过电压击穿后，在触发间隙C2形成过电压，使触发间隙C2发生过电压击穿；完成气体开关的开启。
-
公开(公告)号：CN115021084A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210610667.8
申请日：2022-05-31
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种含优先击穿间隙的多级自击穿气体火花开关研制方法；解决多级开关设计过程中需要耗费的大量迭代试验和时间成本的问题；首先构建单放电间隙自击穿概率函数，其次进行多级自击穿气体火花开关的结构设计，最后基于单放电间隙自击穿概率函数对多级自击穿气体火花开关的结构设计进行修正，直到满足设计需求，完成多级自击穿气体火花开关的制备；本发明建立了一种含优先击穿间隙的多级自击穿气体火花开关研制方法和计算模型，解决了多级开关无设计模型的问题，节省了开关设计的大量时间和试验成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.025 seconds)
