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公开(公告)号：CN119320991A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411348730.0
申请日：2024-09-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性Ga掺杂YIG单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用高温高压光学浮区法生长石榴石Y3Fe5‑xGaxO12单晶，相比于传统助熔剂法，该方法可有效避免元素分凝现象对掺杂均匀性的影响，其制备的Y3Fe5‑xGaxO12单晶材料具有良好的掺杂均匀性，其饱和磁化强度一致性高，几乎不存在梯度分布，可应用于对单晶材料品质要求较高的YIG振荡器、磁光隔离器中。
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公开(公告)号：CN118407123A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410614389.2
申请日：2024-05-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体单晶膜多片同时生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料领域，制备原料包括Y2O3、Fe2O3、PbO和B2O3，制备时的衬底装夹于夹具上，所述原料中，所述PbO与B2O3的摩尔比的范围为25～35；所述衬底为至少两个，相邻两个衬底的间距≥10mm；采用本发明的方法能够同时生长三片以上100μm石榴石型单晶膜，极大的提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN119332344A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411348729.8
申请日：2024-09-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种应用于S波段宽带滤波器的大线宽石榴石铁氧体单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为使用Ho3+离子与Ga3+离子共同掺杂，并采用PbO‑PbF2助熔剂体系生长石榴石Y3‑xHoxFe5‑yGayO12单晶，该方法制备的Y3‑xHoxFe5‑yGayO12铁氧体单晶材料铁磁共振线宽可达20 Oe~30 Oe，磁晶各向异性场约为50 Oe，且元素掺杂浓度分布均匀性良好，饱和磁化强度为1000±25Gs，可应用于超宽瞬时带宽带阻滤波器中。
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公开(公告)号：CN117661118A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311537523.5
申请日：2023-11-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种高磁晶各向异性的Al：YIG单晶材料及其制备方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的制备方法为采用PbO‑PbF2‑B2O3助熔剂体系生长石榴石Y3Fe5‑xAlxO12单晶，该方法制备的Y3Fe5‑xAlxO12铁氧体单晶材料磁晶各向异性明显高于Ga掺杂YIG单晶材料，可达100 Oe以上，且元素掺杂浓度分布均匀性良好，饱和磁化强度一致性高，可应用于永磁偏置型小型化宽带滤波器中。
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公开(公告)号：CN119526188A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510063009.5
申请日：2025-01-15
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种用于旋磁铁氧体单晶小球抛光的研磨装置，属于脆硬球形材料后加工设备领域，包括研磨腔（3）和抛光轴（1），研磨腔（3）内壁为曲面，研磨腔（3）上端设置有中心开设通孔的研磨盖（2），所述抛光轴（1）伸入研磨腔（3）内底部，所述抛光轴（1）的侧面设置有抛光浆（4），所述抛光浆（4）上开设有轴向V型槽（7）；本发明抛光轴内球体与研磨腔内壁属于点与曲面接触，更容易带动球体作变相对方位研磨运动，使球体表面研磨轨迹分布均匀，从而使小球直径更均匀、圆度更小、光洁度更好，提升小球研磨质量；同时，本发明的结构简单、体积小、使用方便，可用于批量单晶小球抛光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117661119A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311632214.6
申请日：2023-12-01
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种减小YIG单晶薄膜线宽用GGG基片的处理方法，属于微波铁氧体单晶薄膜制备领域，本发明通过热的偏磷酸进行二次抛光处理，工艺过程可控，易操作效率高，适用于批量制作；另外该方法可实现在保证GGG基片表面平整度同时，能有效均匀去除GGG基片表面加工损伤层，腐蚀去除厚度可到达μm级，消除基片加工缺陷对外延生长的YIG单晶薄膜品质的影响，外延生长的YIG单晶薄膜的铁磁共振线宽减小约30%，显著提升材料的微波性能。
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公开(公告)号：CN119082871A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411099328.3
申请日：2024-08-12
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种单晶厚膜异质外延生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术，所述方法为：首先在不低于500℃的温度下对衬底进行气态离子注入，然后使用液相外延法生长；本发明提供了一种新的衬底处理方式，在液相外延的过程中可以有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高，适合工业化生产应用。
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公开(公告)号：CN117684256A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311462748.9
申请日：2023-11-06
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术领域，制备时采用表面为向外突出的曲面的衬底，所述曲面顶点到水平面的高度为d，0.05≤d≤0.15mm，曲率半径R为540mm～6460mm；本发明将衬底磨抛成特定的曲面，再使用该衬底进行液相外延，从而能够有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，并且本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高。
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公开(公告)号：CN117664521A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311519376.9
申请日：2023-11-15
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种法拉第旋光片旋转角测试设备，属于旋光片测试领域，包括沿光路依次设置的准直器（1）、电磁铁A（2）、样品测试腔体（3）、电磁铁B（4）和偏振器（5），所述电磁铁A（2）、电磁铁B（4）的磁头中心位置分别设置有通孔，所述准直器（1）的光通路中轴线、通孔中轴线、样品测试腔体（3）中轴线及偏振器（5）通光中轴线重合；所述样品测试腔体（3）内设置有控温系统；本发明可通过固定光路保证测试不受光源影响，实现不同波段样品测试，通过控温系统对样品进行变温测试，实现不同温度下法拉第旋转角的测试；通过伺服单元控制样品测试腔体位置，实现样品法拉第旋转率分布状态测试，提高产品检测工程化能力。
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公开(公告)号：CN117328143A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311215577.X
申请日：2023-09-20
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种中饱和磁化强度Ge掺杂BiCaV铁氧体单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，所述方法为通过Ge4+离子掺杂并采用PbO助熔剂生长石榴石Bi3‑2x‑yCa2x+yVxFe5‑x‑yGeyO12单晶，本发明制备的Ge：BiCaV铁氧体单晶材料饱和磁化强度可达800~1000 Gs，属于中饱和磁化强度范围，且元素掺杂浓度分布均匀性良好，饱和磁化强度一致性高，铁磁共振线宽小于0.9Oe，可应用于S‑C波段微波铁氧体器件中。
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