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公开(公告)号:CN117699811A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311683743.9
申请日:2023-12-10
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: C01B33/22
Abstract: 本发明公开了一种镁橄榄石多晶料的合成方法,采用富镁高温等静压固相合成和烧结工艺制备镁橄榄石多晶料,包括以下过程:S1.取氧化镁细粉原料煅烧,以排除CO2和水分,将二氧化硅微粉烘干;S2.将氧化镁细粉与二氧化硅微粉混合,在聚氨酯混料筒中混料,料混合均匀后将其放入搅拌锅中,加水搅拌均匀,得到原料混合物;然后使用乙醇作为介质,研磨原料混合物;S3.将研磨后的湿浆料烘干、过筛,并在空气中于高温下煅烧。然后将所得产物研磨,再烘干,再过筛得到镁橄榄石粉末。本发明通过采用富镁高温等静压固相法的方式,使制备的镁橄榄石多晶料纯度得以提高达到5N级。
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公开(公告)号:CN116148182A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202211676381.6
申请日:2022-12-26
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种光程差分布测试装置与方法,属于光学测量技术领域。本发明提供的光程差分布测试方法可获得材料整个通光区域的光程差分布信息,可应用于:波片相位延迟分布及其均匀性测量,RTP、KTP晶体光程差分布测量,用于指导晶体的精确配对,可适用于铌酸锂、KDP、玻璃等各向同性或特定方向各向同性材料,测量其应力双折射分布情况。
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公开(公告)号:CN118010314A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202311683739.2
申请日:2023-12-10
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种调Q开关的晶体预配对方法,调Q开关的两块晶体正交放置,两块晶体相并联的电极之间的Z面异号;预配对方法包括以下步骤:S1、测试并标记出所有晶体的+Z方向;S2、统一将晶体+Z面朝上放置,并用箭头标明透光方向,测试光程差分布情况;S3、根据每块晶体的光程差分布情况进行预配对。本发明使晶体组合对的选择更加有针对性,可大大提高配对效率和成功率。
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公开(公告)号:CN118186584A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202311683738.8
申请日:2023-12-10
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明属于光电子材料技术领域,公开了一种掺杂镱钙铌镓石榴石晶体,其分子式为Yb:Ca3Nb1.665~1.710Ga3.150~3.22O12,为石榴石型结构,属于立方晶系,晶格常数#imgabs0#晶胞体积为#imgabs1#本发明Yb:CNGG晶体生长温度较低,可用铂金或者铱金坩埚在空气中直接生长,简化了长晶步骤;并且熔体温度波动较小,熔体中的Ga2O3挥发较少,再加上Ga2O3过量加入1~2mol%,Yb2O3在晶体头、中、尾部的浓度几乎无变化,生长过程组分偏析小,结构缺陷少,结构完整,晶体质量提高。
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公开(公告)号:CN117871470A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202311700443.7
申请日:2023-12-10
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种消除零漂的干涉测量系统,其包括:激光器、样品干涉光路、背景干涉光路、探测器和扩束镜,沿样品干涉光路方向依次布置激光器、扩束镜、分光镜,样品、反射镜、半透半反镜,反射镜位于分光镜的透光侧,背景干涉光路与样品干涉光路共用激光器、扩束镜、分光镜和半透半反镜,分光镜的反光侧布置PZT压电陶瓷反射器件,半透半反镜的出光侧布置探测器。本发明对于缓慢变化物理量的测试,可消除零漂带来的影响。
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公开(公告)号:CN103820859A
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201310750513.X
申请日:2013-12-31
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明提出的一种掺杂钇铝石榴石陶瓷转变为单晶的制备方法,旨在提供一种可控性强,掺杂钇铝石榴石晶体组分均匀的固态晶体生长方法,本发明通过下述技术方案予以实现:在纳米掺杂钇铝石榴石陶瓷粉料中添加粉体重量0.2%~1%的二氧化硅、氧化镁、氟化锂中至少一种作为烧结助剂,随后同玛瑙球一起以酒精为介质球磨;在600~800℃流动氧气气氛下加热,再将粉料装入不锈钢磨具中干压成型陶瓷素坯,并进一步冷等静压陶瓷素坯,在真空度高于10-3Pa、温度大于1550℃保温得到掺杂钇铝石榴石陶瓷;将钇铝石榴石晶体和掺杂钇铝石榴石陶瓷光胶组合形成复合体,在大于1600℃高温、0~300MPa高压氩气处理20小时;掺杂钇铝石榴石单晶在氢气、氧气或空气气氛下大于1200℃保温100小时以上。
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公开(公告)号:CN119859061A
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202411968099.4
申请日:2024-12-30
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: C04B35/50 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种烧绿石型A2‑xBxZr2O7透明陶瓷材料及其制备方法,其中A和B独立地选自三价元素,选自Gd、Eu、Al、Tb中的至少一种。本发明所提供的透明陶瓷材料,具有较高原料利用率和高的光学透过率,可通过多种稀土掺杂对透明陶瓷材料进行改性,满足不同应用需求。本发明所提供的制备方法,通过固相法制备粉体,再经过真空钨丝炉子烧结制备透明陶瓷材料,特别是在原料制备过程中,采取二次球磨工艺,制得粒径更加均匀的粉体,再经过真空烧结,从而制备出高透过率的透明陶瓷材料;具有简单高效,原料利用率高,适用于大规模工业化生产的作用。
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公开(公告)号:CN117871595A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202311683740.5
申请日:2023-12-10
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种固体材料热膨胀系数测试装置,其包括激光器、分光镜、真空室、法布里‑玻罗干涉腔、待测样品、热电偶、探测器;法布里‑玻罗干涉腔布置在真空室内,待测样品放置在法布里‑玻罗干涉腔内,热电偶固定在待测样品侧面;激光器出光侧布置分光镜,分光镜的出射光射向法布里‑玻罗干涉腔,经由法布里‑玻罗干涉腔的反射光进一步经分光镜反射,由布置在分光镜一侧的探测器接收。本发明的干涉光程差仅与试样长度有关,无零漂效应,具有结构简单,可靠性高,测试精度高的突出优势。
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