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    一种低温烧结微波介质陶瓷基板材料及其制备
    2.
    发明授权
    一种低温烧结微波介质陶瓷基板材料及其制备 失效

    公开(公告)号：CN102390991B

    公开(公告)日：2013-08-14

    申请号：CN201110216641.7

    申请日：2011-07-29

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 汪宏 ,  吴新光 ,  周迪 ,  代伟 ,  陈月花 ,  曾一

    IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种新型低温烧结微波介质陶瓷基板材料及其制备方法。该低温烧结微波介质陶瓷基板材料的结构表达式为：xZnO-(1-x)B2O3，其中x＝0.5～0.75。粉料制备采用固相合成法工艺，预烧温度为750℃～800℃，烧结温度为850℃～960℃。本发明的基板材料具有以下特点：介电常数较低，介电损耗较小，烧结温度低，可与Ag或Cu电极共烧，制备工艺简单等优点，可用于制备低温共烧陶瓷(LTCC)基板。

    一种低温烧结微波介质陶瓷基板材料及其制备
    4.
    发明公开
    一种低温烧结微波介质陶瓷基板材料及其制备 失效

    公开(公告)号：CN102390991A

    公开(公告)日：2012-03-28

    申请号：CN201110216641.7

    申请日：2011-07-29

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 汪宏 ,  吴新光 ,  周迪 ,  代伟 ,  陈月花 ,  曾一

    IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种新型低温烧结微波介质陶瓷基板材料及其制备方法。该低温烧结微波介质陶瓷基板材料的结构表达式为：xZnO-(1-x)B2O3，其中x＝0.5～0.75。粉料制备采用固相合成法工艺，预烧温度为750℃～800℃，烧结温度为850℃～960℃。本发明的基板材料具有以下特点：介电常数较低，介电损耗较小，烧结温度低，可与Ag或Cu电极共烧，制备工艺简单等优点，可用于制备低温共烧陶瓷(LTCC)基板。

    一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
    5.
    发明公开
    一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN102249663A

    公开(公告)日：2011-11-23

    申请号：CN201110100849.2

    申请日：2011-04-21

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 周迪 ,  汪宏 ,  姚熹 ,  郭靖 ,  张高群 ,  吴颖 ,  吴新光

    IPC: C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  C04B35/64

    Abstract: 本发明公开了一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。以结构通式(A+A3+)0.5(B5+B6+)0.5O4为基础，选取低价态Na+离子和Bi3+联合占据A位，高价态的Mo6+和V5+复合阳离子占据B位，通过传统固相反应烧结的方法，得到了一系列可以在800℃以下温度范围内烧结，高微波介电常数(34.4≤εr≤79.3)、谐振频率温度系数可调(-263ppm/℃≤TCF≤+43ppm/℃)且微波介电损耗低(高品质因数Qf值，5,000GHz≤Qf≤12,000GHz)的陶瓷材料。其具体结构表达式为：(Na0.5xBi1-0.5x)(MoxV1-x)O4，式中0.0＜x＜1.0。

    一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
    6.
    发明授权
    一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN102249663B

    公开(公告)日：2013-05-22

    申请号：CN201110100849.2

    申请日：2011-04-21

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 周迪 ,  汪宏 ,  姚熹 ,  郭靖 ,  张高群 ,  吴颖 ,  吴新光

    IPC: C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  C04B35/64

    Abstract: 本发明公开了一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。以结构通式(A+A3+)0.5(B5+B6+)0.5O4为基础，选取低价态Na+离子和Bi3+联合占据A位，高价态的Mo6+和V5+复合阳离子占据B位，通过传统固相反应烧结的方法，得到了一系列可以在800℃以下温度范围内烧结，高微波介电常数(34.4≤εr≤79.3)、谐振频率温度系数可调(-263ppm/℃≤TCF≤+43ppm/℃)且微波介电损耗低(高品质因数Qf值，5,000GHz≤Qf≤12,000GHz)的陶瓷材料。其具体结构表达式为：(Na0.5xBi1-0.5x)(MoxV1-x)O4，式中0.0＜x＜1.0。

    一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法
    7.
    发明授权
    一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN101870584B

    公开(公告)日：2013-04-17

    申请号：CN201010170146.2

    申请日：2010-05-12

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 周迪 ,  汪宏 ,  姚熹 ,  庞利霞 ,  吴新光 ,  郭靖 ,  张高群

    IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料以结构通式A4B3O12为基础，选取相对低价态的阳离子（Li+、Zn2+、Ca2+、Cu2+、Mg2+、Al3+、In3+、Cr3+、Ga3+）复合占据A位，高价态的阳离子Mo6+占据B位，通过传统固相反应烧结的方法，得到了一系列可以在700oC以下烧结且具有良好微波介电性能（介电常数8.5~11.1，品质因数Qf介于36,000GHz到108,000GHz）的陶瓷材料。其具体结构表达式为：Li2M2+2(MoO4)3(M2+=Zn2+、Ca2+、Cu2+、Mg2+)和Li3M3+(MoO4)3(M3+=Al3+、In3+、Cr3+、Ga3+)。

    一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
    8.
    发明公开
    一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN101870584A

    公开(公告)日：2010-10-27

    申请号：CN201010170146.2

    申请日：2010-05-12

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 周迪 ,  汪宏 ,  姚熹 ,  庞利霞 ,  吴新光 ,  郭靖 ,  张高群

    IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料以结构通式A4B3O12为基础，选取相对低价态的阳离子（Li+、Zn2+、Ca2+、Cu2+、Mg2+、Al3+、In3+、Cr3+、Ga3+）复合占据A位，高价态的阳离子Mo6+占据B位，通过传统固相反应烧结的方法，得到了一系列可以在700oC以下烧结且具有良好微波介电性能（介电常数8.5~11.1，品质因数Qf介于36,000GHz到108,000GHz）的陶瓷材料。其具体结构表达式为：Li2M2+2(MoO4)3(M2+=Zn2+、Ca2+、Cu2+、Mg2+)和Li3M3+(MoO4)3(M3+=Al3+、In3+、Cr3+、Ga3+)。

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