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公开(公告)号：CN112701214A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011575392.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋轨道矩磁随机存储器。一种自旋轨道矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在所述间隔层上的第一磁层；形成在所述第一磁层上的非磁耦合层；以及形成在所述非磁耦合层上的第二磁层；形成在所述自由磁层上的自旋轨道矩材料层；以及形成在所述自旋轨道矩材料层上的铁电层。本发明通过铁电层导致的电荷转移及极化电场来调控自由层的人工反铁磁结构从反铁磁耦合转变到铁磁耦合，降低了写入过程所需的电流密度，从而节省了存储器件的功耗。
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公开(公告)号：CN112701214B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202011575392.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋轨道矩磁随机存储器。一种自旋轨道矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在所述间隔层上的第一磁层；形成在所述第一磁层上的非磁耦合层；以及形成在所述非磁耦合层上的第二磁层；形成在所述自由磁层上的自旋轨道矩材料层；以及形成在所述自旋轨道矩材料层上的铁电层。本发明通过铁电层导致的电荷转移及极化电场来调控自由层的人工反铁磁结构从反铁磁耦合转变到铁磁耦合，降低了写入过程所需的电流密度，从而节省了存储器件的功耗。
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公开(公告)号：CN112736195A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011575436.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋转移矩磁随机存储器。一种自旋转移矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在所述间隔层上的第一磁层；形成在所述第一磁层上的非磁耦合层；以及形成在所述非磁耦合层上的第二磁层；以及形成在所述自由磁层上的铁电层。本发明通过铁电层导致的电荷转移及极化电场来调控自由层的人工反铁磁结构从反铁磁耦合转变到铁磁耦合，降低了写入过程所需的电流密度，从而节省了存储器件的功耗。
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公开(公告)号：CN112736195B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202011575436.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋转移矩磁随机存储器。一种自旋转移矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在所述间隔层上的第一磁层；形成在所述第一磁层上的非磁耦合层；以及形成在所述非磁耦合层上的第二磁层；以及形成在所述自由磁层上的铁电层。本发明通过铁电层导致的电荷转移及极化电场来调控自由层的人工反铁磁结构从反铁磁耦合转变到铁磁耦合，降低了写入过程所需的电流密度，从而节省了存储器件的功耗。
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