公开(公告)号：CN105755346A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610236829.0

申请日：2016-04-15

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨森 ,  田方华 ,  曾余洋 ,  周超 ,  张垠 ,  许敏炜

IPC: C22C30/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/16 ,  H01F1/00

CPC classification number: C22C30/00 ,  C22C1/02 ,  C22C19/03 ,  C22F1/16 ,  H01F1/012

Abstract: 本发明公开了一种Ni?Mn?In室温磁制冷材料及其制备方法，所述材料是Ni?Mn基的Huesler合金，其化学通式为：Ni50Mn50?xInx，所述化学通式Ni50Mn50?xInx中X的取值范围为7～25。所述材料为优异磁制冷材料，当马氏体相变区和另一低温磁性转变区相邻时，在高磁场时，会产生磁致相变，提高磁熵变的面积，从而得到优异的磁制冷材料。同时本发明提供制备这种材料的方法，该方法主要包括以下内容：首先通过电弧熔炼制备一系列Ni50Mn50?xInx合金，其原料包括Ni，Mn及In，将这三种元素按照化学计量比进行配比，采用电弧熔炼法进行制备。