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公开(公告)号：CN113193180B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110416890.4
申请日：2021-04-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/1395 , H01M4/1393 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种具有表面偶联活性的硅/功能化石墨烯插层复合材料的制备方法，涉及锂离子电池新型负极材技术领域，所述方法包括以下步骤：S100、制备羧基功能化的石墨烯材料；S200、制备具有表面偶联活性的硅颗粒；S300、使用所述石墨烯材料和所述硅颗粒制备具有表面偶联活性的硅/功能化石墨烯插层复合材料。本发明使得硅和石墨烯两者表面都具有化学活性，降低大量的含氧官能团对电化学性能的消极影响，从而提高硅/功能化石墨烯插层复合材料的循环寿命和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN109879319A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910060720.X
申请日：2019-01-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了具有光磁效应的锰掺杂氧化钼纳米材料的制备方法，涉及纳米材料制备领域，包括称取(NH4)6Mo7O24·4H2O倒入血清瓶，向其中加入去离子水充分搅拌均匀，再向溶液中加入C6H8O7·H2O并搅拌均匀得到溶液A；向溶液A中加入Mn(CH3COO)2并充分搅拌得到溶液B；转移溶液B至水热反应釜中加热一定时间后反应得到物质C；清洗物质C并进行热处理得到最终产物。本发明实施例制备的锰掺杂氧化钼复合材料的磁化强度较纯氧化钼颗粒显著提高，且在光辐射下该物质的磁化强度具有显著响应作用。在较低温下，光照作用会使纳米复合材料的磁化强度迅速降落并维持在特定大小，撤去光源后磁化强度又可立刻恢复至初始值。
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公开(公告)号：CN113193180A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110416890.4
申请日：2021-04-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/1395 , H01M4/1393 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种具有表面偶联活性的硅/功能化石墨烯插层复合材料的制备方法，涉及锂离子电池新型负极材技术领域，所述方法包括以下步骤：S100、制备羧基功能化的石墨烯材料；S200、制备具有表面偶联活性的硅颗粒；S300、使用所述石墨烯材料和所述硅颗粒制备具有表面偶联活性的硅/功能化石墨烯插层复合材料。本发明使得硅和石墨烯两者表面都具有化学活性，降低大量的含氧官能团对电化学性能的消极影响，从而提高硅/功能化石墨烯插层复合材料的循环寿命和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN109321792B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201811388856.5
申请日：2018-11-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有交换偏置效应的Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料，属于磁性材料制备领域，其化学式为Mn50Ni50‑xGax，其中x的原子百分比为2～14。本发明还公开了一种具有交换偏置效应的Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1、根据Mn50Ni50‑xGax的原子百分比分别称取纯度不低于99.9％的Mn、Ni、Ga；步骤2、采用电弧熔炼或定向凝固法制备Mn、Ni、Ga得到Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料样品；步骤3、将得到的样品热处理和测试及表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111029072A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911363609.4
申请日：2019-12-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于磁存储的Ni-Mn-Si阵列材料及其制备方法，涉及磁性材料制备技术领域，本发明公开了一种可用于磁存储的Ni-Mn-Si阵列材料，所述材料的化学式为Ni2Mn1+xSi1-x，其中，x的取值范围为0≤x≤0.2；本发明还公开了一种可用于磁存储的Ni-Mn-Si阵列材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：S100、根据Ni2Mn1+xSi1-x合金的原子百分比分别称取纯度不低于99.9％的Ni、Mn、Si原料，其中Mn的质量在计算后过量添加5％；S200、熔炼所述原料得到Ni-Mn-Si样品；S300、将所述样品热处理。
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公开(公告)号：CN105755346A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610236829.0
申请日：2016-04-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni?Mn?In室温磁制冷材料及其制备方法，所述材料是Ni?Mn基的Huesler合金，其化学通式为：Ni50Mn50?xInx，所述化学通式Ni50Mn50?xInx中X的取值范围为7～25。所述材料为优异磁制冷材料，当马氏体相变区和另一低温磁性转变区相邻时，在高磁场时，会产生磁致相变，提高磁熵变的面积，从而得到优异的磁制冷材料。同时本发明提供制备这种材料的方法，该方法主要包括以下内容：首先通过电弧熔炼制备一系列Ni50Mn50?xInx合金，其原料包括Ni，Mn及In，将这三种元素按照化学计量比进行配比，采用电弧熔炼法进行制备。
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公开(公告)号：CN109879319B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910060720.X
申请日：2019-01-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了具有光磁效应的锰掺杂氧化钼纳米材料的制备方法，涉及纳米材料制备领域，包括称取(NH4)6Mo7O24·4H2O倒入血清瓶，向其中加入去离子水充分搅拌均匀，再向溶液中加入C6H8O7·H2O并搅拌均匀得到溶液A；向溶液A中加入Mn(CH3COO)2并充分搅拌得到溶液B；转移溶液B至水热反应釜中加热一定时间后反应得到物质C；清洗物质C并进行热处理得到最终产物。本发明实施例制备的锰掺杂氧化钼复合材料的磁化强度较纯氧化钼颗粒显著提高，且在光辐射下该物质的磁化强度具有显著响应作用。在较低温下，光照作用会使纳米复合材料的磁化强度迅速降落并维持在特定大小，撤去光源后磁化强度又可立刻恢复至初始值。
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公开(公告)号：CN111041279A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911362777.1
申请日：2019-12-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有负磁化现象的Ni-Mn-B合金材料及其制备方法，涉及磁性材料制备技术领域，公开了一种具有负磁化现象的Ni-Mn-B合金材料，其化学式为Ni20Mn4-xB5+x，其中，x的原子百分比为0≤x≤2；还公开了一种具有负磁化现象的Ni-Mn-B合金材料的制备方法，包括如下步骤：S100、根据Ni20Mn4-xB5+x合金的原子百分比分别称取纯度不低于99.9％的Ni、Mn、B原料；S200、熔炼原料得到Ni-Mn-B样品；S300、将样品热处理。本发明的具有负磁化现象的Ni-Mn-B合金材料的磁矩翻转的实现可以仅仅通过改变外加磁场的大小而不必改变外加磁场方向即可实现。
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公开(公告)号：CN109321792A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811388856.5
申请日：2018-11-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有交换偏置效应的Mn-Ni-Ga哈斯勒合金材料，属于磁性材料制备领域，其化学式为Mn50Ni50-xGax，其中x的原子百分比为2～14。本发明还公开了一种具有交换偏置效应的Mn-Ni-Ga哈斯勒合金材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1、根据Mn50Ni50-xGax的原子百分比分别称取纯度不低于99.9％的Mn、Ni、Ga；步骤2、采用电弧熔炼或定向凝固法制备Mn、Ni、Ga得到Mn-Ni-Ga哈斯勒合金材料样品；步骤3、将得到的样品热处理和测试及表征。
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