-
公开(公告)号：CN114400220B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210037750.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构，包括顶部陶瓷基板、底部陶瓷基板、第一SiC MOSFET器件、第二SiC MOSFET器件、第三SiC MOSFET器件、第四SiC MOSFET器件、第五SiC MOSFET器件、第六SiC MOSFET器件、第七SiC MOSFET器件、第八SiC MOSFET器件、第一钼柱、第二钼柱、第三钼柱、第四钼柱、第五钼柱、第六钼柱、第七钼柱、第八钼柱、第一金属引出端子、第二金属引出端子、第三金属引出端子、第四金属引出端子、第五金属引出端子、第六金属引出端子及第七金属引出端子，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度以及便于级联的特点。
-
公开(公告)号：CN113746330A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111006011.7
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于功能复用磁件的氮化镓集成功率模块，包括PCB板及多功能三维集成磁芯器件，其中，PCB板上集成有氮化镓器件、驱动电路及解耦电容，多功能三维集成磁芯器件包括散热板，散热板上设置有四个通孔，其中，各通孔内均设置有磁芯，其中，各磁芯上均设置有绕组，绕组与PCB板相连接，散热板位于PCB板的下方，该模块的冷却能力优异。
-
公开(公告)号：CN111879989A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010438104.6
申请日：2020-05-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于SiC MOSFET的电流检测电路，包括补偿电阻、补偿电感、电流采样电阻、总寄生电感、电压源、第一SiC MOSFET管及第二SiC MOSFET管，其中，电压源、第一SiC MOSFET管、第二SiC MOSFET管、总寄生电感及电流采样电阻依次组成串联回路，补偿电阻与补偿电容组成补偿支路，电流采样电阻与总寄生电感组成的支路与补偿支路并联连接，该检测电路能够有效的避免寄生电感对电流采样电阻检测性能的影响，且成本较低，体积较小。
-
公开(公告)号：CN110246835B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910428016.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 发明公开了一种三维集成高压碳化硅模块封装结构，其包括自上而下的源极基板、芯片子模块、上驱动端子、上驱动基板、陶瓷外壳、可集成水冷散热器的金属基板、进水口、出水口、芯片子模块、下驱动端子、下驱动基板、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动源极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等组成。采用三维集成结构让回路不收二维布局的局限，寄生参数大幅降低；采用集成水冷散热器的中间基板能保证每层芯片都是双面散热结构，提高模块的散热效率；采用外接解耦电容组，减小电压振荡的同时也不会影响模块内部的可靠性；采用金属平板作为引出端子，能够与现有的电网输变电系统相兼容。
-
公开(公告)号：CN110190049A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910428010.8
申请日：2019-05-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 发明公开了一种高压功率模块封装结构，其包括自上而下的源极基板芯片子模块、驱动基板、驱动端子、外壳、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动源极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等。本发明结构合理，采用纳米银烧结工艺的新型高压碳化硅封装结构有利于提高压接模块的可靠性；在芯片终端设置绝缘结构以及用固体绝缘材料填充模块提高了器件的耐压性；封装结构集成了驱动基板并实现开尔文连接，提高了驱动的可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112710940B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011541017.X
申请日：2020-12-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法，包括以下步骤：栅极驱动器输出的高电平电压Vgg、下桥臂SiC MOSFET的漏极外接引线端子G与母线电源的负极性端子S’之间的电压uGS’、外加驱动电阻Rg_de、栅极驱动器内部驱动电阻Rg_dr、下桥臂SiC MOSFET的栅漏极PCB布线产生的杂散电容Cdg’、SiC MOSFET漏源极电容两端的电压uDS及SiC MOSFET漏栅极电容两端的电压uDG，得SiC MOSFET的反向转移电容Cdg，该方法能够较为准确测量SiC MOSFET的反向转移电容，且测量较为简单。
-
公开(公告)号：CN114400210A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210039284.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
-
-
公开(公告)号：CN112864140A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011638747.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种新型耐高温SiC MOSFET半桥多层封装结构，包括封装层及引片结构，其中，封装层内设置有第一镀金金属化芯区及第二镀金金属化芯区，封装层的表面开设有自上到下分布的通孔结构，引片结构插入于通孔结构内后与封装层之间密封，第一镀金金属化芯区上设置有上桥臂半导体芯片，第二镀金金属化芯区上设置有下桥臂半导体芯片，其中，引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
-
公开(公告)号：CN111682757A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010437292.0
申请日：2020-05-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种用于数据中心电源调压模块的非隔离高降压增益的DC-DC变换器，输入电源的正极经第一开关管与第一电容的正极及第二开关管的一端相连接，第一电容的负极与第三开关管的一端、第一电感的一端、第二电感的一端及第五开关管的一端相连接，第二开关管的另一端及第三开关管的另一端与第二电容的正极相连接，第二电容的负极与第四开关管的一端及第一电感的另一端相连接，第二电感的另一端与负载的一端相连接，负载的另一端、第五开关管的另一端及第四开关管的另一端均与输入电源的负极相连接；第一开关管、第二开关管、第三开关管、第五开关管及第四开关管均为有源开关管，该变换器具有体积小、功率密度高及效率高的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.026 seconds)
