带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN119880241A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510092930.2

    申请日:2025-01-21

    Abstract: 一种带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法,包括由下向上设置的支撑层、绝缘层和器件层;支撑层背部刻蚀有空腔,空腔正上方为敏感膜,敏感膜上设有一字梁双岛结构;在一字梁双岛结构的边缘与中心处分别布置有四个压敏电阻条,四个压敏电阻条通过五个P型重掺杂硅引线连接成半开环惠斯通电桥,五个P型重掺杂硅引线区域中心处设置有五个金属点电极,周围外侧设有密封圈,相邻P型重掺杂硅引线与密封圈间通过细缝相隔;本发明有效提升其压力承受极限,在确保高量程的同时,实现优异的灵敏度和线性度表现,具备数十至数百兆帕高压测量能力,耐受温度高达400℃,广泛适用于石油、天然气、化工及高压设备监测等领域。

    一种全硅立式无引线封装结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN119223513A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411340460.9

    申请日:2024-09-25

    Abstract: 一种全硅立式无引线封装结构及其制备方法,包括传感器芯片,传感器芯片经高掺杂硅立式导电结构连接在陶瓷基底上,陶瓷基底上连接有导电引脚,导电引脚和掺杂硅立式导电结构电连接,传感器芯片、高掺杂硅立式导电结构、陶瓷基底外侧连接有合金外壳;传感器芯片采用SOI硅片,高掺杂硅立式导电结构用P型高掺杂低电阻率的硅片;本发明能够实现无金属或导电焊料参与的全硅化的封装结构,适合于超高温环境下的应用,具有制作工艺简单、电气连接稳定、成本低等优点,易于大批量生产。

    适用于高温高压环境下的浮动式无引线封装压力传感器

    公开(公告)号:CN118533337A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410609591.6

    申请日:2024-05-16

    Abstract: 一种适用于高温高压环境下的浮动式无引线封装压力传感器,包括合金盖帽,合金盖帽和合金壳体底部连接,合金壳体内底部的合金盖帽上安装有环形卡环,环形卡环上安装有传感器芯片,传感器芯片上设置有陶瓷基底,陶瓷基底底部与传感器芯片接触,陶瓷基底顶部与压簧接触,压簧与合金壳体接触,实现一体式封装结构的预紧;传感器芯片和陶瓷基底上安装的导电引脚连接;本发明通过合金敏感膜和压杆取代硅酸油作为压力传递介质,以避免出现液体泄露,同时还可以调整敏感膜厚度以适应高压环境下的压力测量;导电引脚与金属焊盘通过金凸点直接接触,无需金丝引线,实现高温环境下稳定的电气连接,提高传感器的性能与可靠性。

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