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发明公开
具有垂直磁各向异性的多层磁性金属薄膜及方法审中-实审

公开(公告)号：CN119153189A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411263390.1

申请日：2024-09-10

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李桃 , 陈博原 , 徐美玲 , 侯飞雁 , 周雪 , 闵泰

IPC: H01F10/10 , H01F10/00 , H01F41/02 , H10N50/85

Abstract: 公开了一种具有垂直磁各向异性的多层磁性金属薄膜及方法，多层磁性金属薄膜中，衬底为热氧化的单晶硅片，缓冲层层叠于所述衬底上，所述缓冲层为Ti/Pt、Ta/Pt或Ru/Pt，Ti、Ta或Ru层，厚度为2‑4nm，[Co/Pt]n层层叠于所述缓冲层，其中，Co层厚度为0.8‑1.8nm，Pt层厚度为0.7‑1.5nm，n为2‑5。通过调控缓冲层、Co层厚度、Pt层厚度以及周期数n能够明显调控薄膜的磁各向异性，多层磁性金属薄膜具有良好的垂直磁各向异性。

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