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公开(公告)号：CN103441063A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310214526.5
申请日：2013-05-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅微结构的制备方法，该方法是在气体环境中，利用飞秒激光辐照，通过扫描的方式，在碳化硅基片上诱导产生折射率变化区域，再通过氢氟酸和硝酸的混合液，腐蚀去除折射变化区域，从而制备碳化硅微结构。该方法工艺流程简单，微结构的分布不需要掩模板定义；与当前常用的湿法和干法刻蚀相比，腐蚀选择性好，刻蚀区域完全由激光辐照区域决定。利用该方法，通过调控激光辐照参数，可以在碳化硅基片上制备没有杂质元素污染的高纵横比狭槽。该方法可以应用于半导体器件领域和微机械电子系统。
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公开(公告)号：CN103232023B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310141035.2
申请日：2013-04-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法：在含氧气体氛围中利用飞秒激光扫描单晶硅基片，在扫描区诱导硅产生折射率变化，再通过氢氟酸湿法刻蚀去除折射率变化区形成硅微结构。本发明的方法工艺简单，与现有技术相比，其不需要使用掩模板定义微结构的分布图样；相对于通常的湿法和干法刻蚀，腐蚀选择性好，刻蚀区域完全由飞秒激光处理区域决定，不存在侧向钻蚀；在深硅槽的加工中可以获得深宽比高、深度大的硅槽。本发明的方法可应用于微机械电子系统。
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公开(公告)号：CN103441063B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310214526.5
申请日：2013-05-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 本发明专利公开了一种碳化硅微结构的制备方法就，该方法是在气体环境中，利用飞秒激光辐照，通过扫描的方式，在碳化硅基片上诱导产生折射率变化区域，再通过氢氟酸和硝酸的混合液，腐蚀去除折射变化区域，从而制备碳化硅微结构。该方法工艺流程简单，微结构的分布不需要掩模板定义；与当前常用的湿法和干法刻蚀相比，腐蚀选择性好，刻蚀区域完全由激光辐照区域决定。利用该方法，通过调控激光辐照参数，可以在碳化硅基片上制备没有杂质元素污染的高纵横比狭槽。该方法可以应用于半导体器件领域和微机械电子系统。
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公开(公告)号：CN103232023A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310141035.2
申请日：2013-04-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法：在含氧气体氛围中利用飞秒激光扫描单晶硅基片，在扫描区诱导硅产生折射率变化，再通过氢氟酸湿法刻蚀去除折射率变化区形成硅微结构。本发明的方法工艺简单，与现有技术相比，其不需要使用掩模板定义微结构的分布图样；相对于通常的湿法和干法刻蚀，腐蚀选择性好，刻蚀区域完全由飞秒激光处理区域决定，不存在侧向钻蚀；在深硅槽的加工中可以获得深宽比高、深度大的硅槽。本发明的方法可应用于微机械电子系统。
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