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公开(公告)号：CN104316777A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410591913.5
申请日：2014-10-28
Applicant: 西安交通大学 , 南方电网科学研究院有限责任公司
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明涉及一种基于Pockels效应的电场强度测量系统，包括沿光路依次设置的起偏器、1/4波片、Pockels晶体和检偏器；起偏器与检偏器二者偏振方向正交；还包括光源、光纤以及后处理单元；所述光纤包括入光侧光纤和出光侧光纤；后处理单元包括相互连接的光电探测仪和示波器。本发明提出了一种关于传统光学分立器件难以实用化的解决方案，将测量系统的相关元件(起/检偏器、1/4波片、Pockels晶体、光纤准直器等)胶装后形成Pockels探头。本发明解决了传统的基于分立光学器件不易控制光路且易受到外界条件干扰、系统稳定性差等诸多问题，有助于促进光学电场测量技术向实际应用方向转化，推动电场测量技术的发展。
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公开(公告)号：CN105405545B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510872742.8
申请日：2015-12-01
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种绝缘子，包括两个绝缘子无刻槽区域和位于两个绝缘子无刻槽区域之间的绝缘子刻槽区域；绝缘子刻槽区域上设有若干个槽；槽中设置有嵌入电极；两个绝缘子无刻槽区域上分别设置有阴极和阳极；所述槽、阴极和阳极位于绝缘子同一侧。本发明同时利用绝缘子表面刻槽以及因嵌入电极而产生周期性变化的法向电场达到调整绝缘子表面的二次电子发射及倍增过程，从而实现提高绝缘子真空沿面耐电特性的目的。本发明方法易于实现加工，制造技术难度低，有利于向实际工程应用层面转化，推动脉冲功率技术的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105467281A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510808474.3
申请日：2015-11-19
Applicant: 西安交通大学 , 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01R31/12
CPC classification number: G01R31/1263
Abstract: 本发明公开一种提高固体绝缘材料沿面闪络特性的方法，包括以下步骤：在固体绝缘材料的表面进行凹陷处理形成凹陷，并在凹陷中制备一层金属膜电极；所述凹陷的形状与设置在固体绝缘材料上的电极形状相配合；所述凹陷的深度大于金属膜电极的高度，金属膜电极沉积在凹陷底部；电极嵌入凹陷内并紧贴金属膜电极。本发明在绝缘材料表面制备金属膜电极(如金、银、铜等)以消除电极和固体绝缘材料之间的间隙，改善二者之间的接触，提高系统的闪络电压；将金属电极嵌入绝缘材料内部，可以有效地避免在制备过程中在电极、材料以及氛围的三结合处形成新的电场畸变点而降低闪络电压的可能。
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公开(公告)号：CN103776857A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410022709.1
申请日：2014-01-17
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了用于二次电子发射系数测量的半球型电子收集装置及测量方法，包括设置于真空室中的电子枪和收集装置，收集装置由外向内依次为半球型收集极、第一层金属筛网和第二层金属筛网，上下开口的电子束通道腔贯穿收集极、第一层金属筛网和第二层金属筛网，电子束通道腔的上开口对准电子枪，下开口对准能够水平移动及转动的样品台，样品台上设置有样品，法拉第筒连接在样品台的一端。电子束通道腔可屏蔽收集极和两层筛网之间的外在偏压电场对电子束运动轨迹的影响。第二层金属筛网起到屏蔽收集极正偏压和第一层金属筛网负偏压的作用，营造无电场区域，使得电子通过该区域到达样品过程中不受外在电场影响。
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公开(公告)号：CN105405545A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510872742.8
申请日：2015-12-01
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种绝缘子，包括两个绝缘子无刻槽区域和位于两个绝缘子无刻槽区域之间的绝缘子刻槽区域；绝缘子刻槽区域上设有若干个槽；槽中设置有嵌入电极；两个绝缘子无刻槽区域上分别设置有阴极和阳极；所述槽、阴极和阳极位于绝缘子同一侧。本发明同时利用绝缘子表面刻槽以及因嵌入金属电极而产生周期性变化的法向电场达到调整绝缘子表面的二次电子发射及倍增过程，从而实现提高绝缘子真空沿面耐电特性的目的。本发明方法易于实现加工，制造技术难度低，有利于向实际工程应用层面转化，推动脉冲功率技术的发展。
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公开(公告)号：CN105467281B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201510808474.3
申请日：2015-11-19
Applicant: 西安交通大学 , 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开一种提高固体绝缘材料沿面闪络特性的方法，包括以下步骤：在固体绝缘材料的表面进行凹陷处理形成凹陷，并在凹陷中制备一层金属膜电极；所述凹陷的形状与设置在固体绝缘材料上的电极形状相配合；所述凹陷的深度大于金属膜电极的高度，金属膜电极沉积在凹陷底部；电极嵌入凹陷内并紧贴金属膜电极。本发明在绝缘材料表面制备金属膜电极(如金、银、铜等)以消除电极和固体绝缘材料之间的间隙，改善二者之间的接触，提高系统的闪络电压；将金属电极嵌入绝缘材料内部，可以有效地避免在制备过程中在电极、材料以及氛围的三结合处形成新的电场畸变点而降低闪络电压的可能。
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公开(公告)号：CN103776857B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410022709.1
申请日：2014-01-17
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了用于二次电子发射系数测量的半球型电子收集装置及测量方法，包括设置于真空室中的电子枪和收集装置，收集装置由外向内依次为半球型收集极、第一层金属筛网和第二层金属筛网，上下开口的电子束通道腔贯穿收集极、第一层金属筛网和第二层金属筛网，电子束通道腔的上开口对准电子枪，下开口对准能够水平移动及转动的样品台，样品台上设置有样品，法拉第筒连接在样品台的一端。电子束通道腔可屏蔽收集极和两层筛网之间的外在偏压电场对电子束运动轨迹的影响。第二层金属筛网起到屏蔽收集极正偏压和第一层金属筛网负偏压的作用，营造无电场区域，使得电子通过该区域到达样品过程中不受外在电场影响。
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