公开(公告)号：CN103811615B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410040573.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 杨卿 ,  周小红

IPC: H01L33/28 ,  H01L33/00

Abstract: 一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：在ZnS基板表面涂覆Ga；将涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中保温一定时间后冷却至室温，得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。本发明一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，将液态Ga涂覆于ZnS基板表面，通过热氧化在ZnS基板表面生成ZnO薄膜，解决了现有肖特基ZnO基LED驱动电压阈值高的问题，该方法操作简单、环境友好，所制备的氧化锌薄膜具有工作电压低、发光稳定等特点。

公开(公告)号：CN103811615A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410040573.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 杨卿 ,  周小红

IPC: H01L33/28 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0033 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/28

Abstract: 一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：在ZnS基板表面涂覆Ga；将涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中保温一定时间后冷却至室温，得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。本发明一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，将液态Ga涂覆于ZnS基板表面，通过热氧化在ZnS基板表面生成ZnO薄膜，解决了现有肖特基ZnO基LED驱动电压阈值高的问题，该方法操作简单、环境友好，所制备的氧化锌薄膜具有工作电压低、发光稳定等特点。