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公开(公告)号:CN116903362B
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202310334168.5
申请日:2023-03-31
Applicant: 西安理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , G21B1/11
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线构筑的多孔钛酸锂陶瓷小球制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、采用水热法制备α‑钛酸锂纳米线;步骤2、制备锂陶瓷微球生坯;步骤3、制备多孔结构β‑钛酸锂陶瓷小球。本发明利用钛酸锂纳米线自身特征构筑多孔结构,通过烧结工艺的控制实现孔隙率及孔隙大小调控,避免使用有机造孔剂或其他添加物;同时纳米线相互搭接的结构还可确保陶瓷在高孔隙率下仍保持良好的压缩强度。
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公开(公告)号:CN117756519A
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202311697169.2
申请日:2023-12-11
Applicant: 西安理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了基于电脉冲的高致密钛酸锂细晶陶瓷快速烧结方法,包括采用固相法制备钛酸锂粉体,将钛酸锂粉体压片得到钛酸锂陶瓷生坯,将钛酸锂陶瓷生坯置于两片石墨毡中间,在高频率直流脉冲电源作用下进行快速烧结,即制得高致密钛酸锂细晶陶瓷。本发明通过在石墨毡两端施加高频率脉冲直流电流,使石墨毡产生焦耳热,从而使夹在石墨毡中间的钛酸锂陶瓷生坯快速烧结致密化,克服锂陶瓷在长时间烧结下的晶粒长大和锂挥发,通过调节脉冲电压和时间,还可以实现对钛酸锂陶瓷致密度和晶粒尺寸的调控;由于升温速率快和烧结时间短,制备的细晶高密度钛酸锂陶瓷具有较高的抗压强度和抗弯强度,一定程度上保证了其服役时候的综合力学性能。
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公开(公告)号:CN111217592A
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN202010031692.1
申请日:2020-01-13
Applicant: 西安理工大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种基于熔盐法的高锂含量氚增殖陶瓷小球制备方法,首先采用混合溶剂热法制备出粒径均一的前驱体粉体,再配制一定浓度的锂盐溶液,随后球磨得到浆料,并采用湿法成型获得球形陶瓷素坯,最终烧结制备正硅酸锂陶瓷小球。烧结过程中锂熔盐分解形成氧化锂,并最终固溶于正硅酸锂晶格中,不仅不会引入杂质(相比常规的熔盐法,免除了洗去熔盐的工序),而且可达到提高锂原子密度的目的。本发明解决了现有技术中存在的氚增殖陶瓷制备方法难以在较低温度下获得致密度及强度的问题。
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公开(公告)号:CN115323317A
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202210969672.8
申请日:2022-08-12
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明属于材料表面工程技术领域,具体公开了一种渗铬钢领的制备方法、铬渗剂及其制备方法。一种渗铬钢领的制备方法,包括以下步骤:将钢领埋入铬渗剂中;对埋入铬渗剂的钢领抽真空到预设压强,并升温至预设温度,然后保温预设时间,再冷却至室温;取出冷却的钢领并清洗干燥,得到渗铬钢领。本发明通过使用真空加热炉设备,采用真空包埋法来进行渗镀,使渗入过程始终在真空环境下,提高了卤化物的蒸汽压,减少其他残留气体带来的不利影响,在钢领表面制备处结合力强、均匀致密的铬渗层。
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公开(公告)号:CN116903362A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310334168.5
申请日:2023-03-31
Applicant: 西安理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , G21B1/11
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线构筑的多孔钛酸锂陶瓷小球制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、采用水热法制备α‑钛酸锂纳米线;步骤2、制备锂陶瓷微球生坯;步骤3、制备多孔结构β‑钛酸锂陶瓷小球。本发明利用钛酸锂纳米线自身特征构筑多孔结构,通过烧结工艺的控制实现孔隙率及孔隙大小调控,避免使用有机造孔剂或其他添加物;同时纳米线相互搭接的结构还可确保陶瓷在高孔隙率下仍保持良好的压缩强度。
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公开(公告)号:CN111217592B
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202010031692.1
申请日:2020-01-13
Applicant: 西安理工大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种基于熔盐法的高锂含量氚增殖陶瓷小球制备方法,首先采用混合溶剂热法制备出粒径均一的前驱体粉体,再配制一定浓度的锂盐溶液,随后球磨得到浆料,并采用湿法成型获得球形陶瓷素坯,最终烧结制备正硅酸锂陶瓷小球。烧结过程中锂熔盐分解形成氧化锂,并最终固溶于正硅酸锂晶格中,不仅不会引入杂质(相比常规的熔盐法,免除了洗去熔盐的工序),而且可达到提高锂原子密度的目的。本发明解决了现有技术中存在的氚增殖陶瓷制备方法难以在较低温度下获得致密度及强度的问题。
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