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公开(公告)号：CN108417508A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810059535.4
申请日：2018-01-22
Applicant: 西安理工大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开的一种用于半导体的微弧放电切割装置，包括底座，底座上竖直固接有长方体结构的立柱，立柱的一个侧面自上而下依次设置有驱动装置和“几”字形工作台，且“几”字形工作台的台面平行且背对于立柱侧面，立柱的侧面竖直设置有滑动机构，“几”字形工作台活动连接于滑动机构内，“几”字形工作台上固接有超声振动机构，超声振动机构下方固接有切割机构，底座上还设置有装有电解液的容器，且容器位于超声振动机构下方，容器内部设置有三角卡盘，解决了SiC单晶体在切割过程容易出现固-液界面气泡分布不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN108393548A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810073299.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开的电火花线切割单晶硅的放电间隙控制系统，包括电火花线切割机床和脉冲电源，电火花线切割机床的单晶硅工件和切割线分别连接于脉冲电源的正极和负极上，电火花线切割机床的单晶硅工件进给方向依次设置有步进电机和电机驱动器，电机驱动器通过AD转换器依次连接有数据采集器和计算机，电火花线切割机床的放电回路分别串联有采样电阻，且采样电阻与AD转换器连接，使加工过程中电火花放电间隙保持在合理的范围内，避免开路或者短路的产生，提高了单晶硅工件的表面质量，本发明的放电间隙控制方法，对于实现单晶硅半导体的电火花线切割加工，获得良好的晶片加工表面质量和加工效率具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN108393548B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810073299.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开的电火花线切割单晶硅的放电间隙控制系统，包括电火花线切割机床和脉冲电源，电火花线切割机床的单晶硅工件和切割线分别连接于脉冲电源的正极和负极上，电火花线切割机床的单晶硅工件进给方向依次设置有步进电机和电机驱动器，电机驱动器通过AD转换器依次连接有数据采集器和计算机，电火花线切割机床的放电回路分别串联有采样电阻，且采样电阻与AD转换器连接，使加工过程中电火花放电间隙保持在合理的范围内，避免开路或者短路的产生，提高了单晶硅工件的表面质量，本发明的的放电间隙控制方法，对于实现单晶硅半导体的电火花线切割加工，获得良好的晶片加工表面质量和加工效率具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN108417508B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201810059535.4
申请日：2018-01-22
Applicant: 西安理工大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开的一种用于半导体的微弧放电切割装置，包括底座，底座上竖直固接有长方体结构的立柱，立柱的一个侧面自上而下依次设置有驱动装置和“几”字形工作台，且“几”字形工作台的台面平行且背对于立柱侧面，立柱的侧面竖直设置有滑动机构，“几”字形工作台活动连接于滑动机构内，“几”字形工作台上固接有超声振动机构，超声振动机构下方固接有切割机构，底座上还设置有装有电解液的容器，且容器位于超声振动机构下方，容器内部设置有三角卡盘，解决了SiC单晶体在切割过程容易出现固‑液界面气泡分布不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN108406017A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810073297.2
申请日：2018-01-25
Applicant: 西安理工大学
IPC: B23H5/04
CPC classification number: B23H5/04
Abstract: 本发明公开的一种等离子体微弧放电切割装置，包括底座，底座上竖直固接有立柱，立柱的一侧面自上而下依次设置有驱动装置和工作台，立柱的侧面上竖直设置有滑动机构，工作台活动连接于滑动机构内，工作台的台面上垂直连接有对刀机构，对刀机构一端侧面固接有绝缘块，绝缘块下表面竖直固接有夹头，夹头下端固接有导电棒，导电棒下表面固定有金刚石磨粒；底座上还设置有工作液容器，且工作液容器位于导电棒下方，工作液容器内部设置有三角卡盘，解决了半导体在等离子体放电过程中沉积物沉积在半导体表面而影响放电的问题，本发明的切割方法达到了半导体良好的表面质量和较高的沉积物去除率。
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