公开(公告)号：CN114832841A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210447958.X

申请日：2022-04-26

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 孙少东 ,  杨变 ,  梁淑华 ,  焦愉翔 ,  雷国栋 ,  崔杰 ,  杨曼 ,  郭钰 ,  杨卿

IPC: B01J27/06 ,  C01G29/00

Abstract: 本发明公开了自然光响应的卤氧化铋光催化材料的制备方法，具体为：构筑具有体相元素掺杂和表面氧空位的BiOX粉末，通过BiOX前驱体与金属卤化物进行溶剂热处理，即可。利用操作简便易行的金属盐辅助‑溶剂热还原法，制备了体相元素掺杂和表面氧空位共生的BiOX光催化材料，实现了BiOX的自然光响应。本发明制备的BiOX光催化材料对罗丹明B、罗丹明6G、孔雀石绿、亚甲基蓝和结晶紫等有机污染物降解效果明显。另外，该制备方法原料来源广、制作成本低、实验工序少、操作简单，对设备、人力和场地要求低，有望实现工业化生产。

公开(公告)号：CN114605151A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210447800.2

申请日：2022-04-24

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 杨变 ,  孙少东 ,  郭钰 ,  杨曼 ,  崔杰 ,  张佳语

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了Gd‑Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料，该铁电储能陶瓷材料的结构式为Sr(0.53‑0.15x)Ba0.47GdxNb2‑yTayO6，其中，x的取值为0.01～0.1，y的取值为0.1～0.5。本发明还公开了其制备方法，具体为：称取BaCO3、SrCO3、Gd2O3、Nb2O5、Ta2O5，充分混合球磨，干燥后进行预烧，将预烧粉经造粒、压片、排胶后，进行烧结，即可。通过在陶瓷材料中掺杂Gd和Ta，不但获得了高储能密度，且显著提高了其储能效率，并改善了其储能性能的温度稳定性，在140℃下击穿场强可以达到400kV·cm‑1，储能密度达到85％。

公开(公告)号：CN114716248B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202210447959.4

申请日：2022-04-24

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 杨变 ,  孙少东 ,  张佳语 ,  杨曼 ,  崔杰 ,  郭钰

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种高储能性的稀土掺杂钨青铜结构陶瓷材料，其结构式为(Sr0.53‑0.15xBa0.47Gdx)1‑yREyNb2O6，x的取值为0～0.1，y的取值为0.01～0.08。本发明还公开了其制备方法，将BaCO3、SrCO3、Gd2O3、RE2O3、Nb2O5混合球磨，干燥，预烧，将预烧粉经造粒、压片、排胶后烧结，即可。通过A位稀土掺杂陶瓷体系抑制了钨青铜结构陶瓷非等轴晶粒的异常长大，形成了致密的铁电储能材料，增加了弛豫特性，减少了电场下的能量耗散，另外，该陶瓷组成中不涉及高温烧结过程中易于挥发的Bi、Na、K等元素，易于器件的集成化，对设备、人力和场地要求低。

公开(公告)号：CN114832841B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202210447958.X

申请日：2022-04-26

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 孙少东 ,  杨变 ,  梁淑华 ,  焦愉翔 ,  雷国栋 ,  崔杰 ,  杨曼 ,  郭钰 ,  杨卿

IPC: B01J27/06 ,  C01G29/00

Abstract: 本发明公开了自然光响应的卤氧化铋光催化材料的制备方法，具体为：构筑具有体相元素掺杂和表面氧空位的BiOX粉末，通过BiOX前驱体与金属卤化物进行溶剂热处理，即可。利用操作简便易行的金属盐辅助‑溶剂热还原法，制备了体相元素掺杂和表面氧空位共生的BiOX光催化材料，实现了BiOX的自然光响应。本发明制备的BiOX光催化材料对罗丹明B、罗丹明6G、孔雀石绿、亚甲基蓝和结晶紫等有机污染物降解效果明显。另外，该制备方法原料来源广、制作成本低、实验工序少、操作简单，对设备、人力和场地要求低，有望实现工业化生产。

公开(公告)号：CN114605151B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210447800.2

申请日：2022-04-24

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 杨变 ,  孙少东 ,  郭钰 ,  杨曼 ,  崔杰 ,  张佳语

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了Gd‑Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料，该铁电储能陶瓷材料的结构式为Sr(0.53‑0.15x)Ba0.47GdxNb2‑yTayO6，其中，x的取值为0.01～0.1，y的取值为0.1～0.5。本发明还公开了其制备方法，具体为：称取BaCO3、SrCO3、Gd2O3、Nb2O5、Ta2O5，充分混合球磨，干燥后进行预烧，将预烧粉经造粒、压片、排胶后，进行烧结，即可。通过在陶瓷材料中掺杂Gd和Ta，不但获得了高储能密度，且显著提高了其储能效率，并改善了其储能性能的温度稳定性，在140℃下击穿场强可以达到400kV·cm‑1，储能密度达到85％。

公开(公告)号：CN114716248A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210447959.4

申请日：2022-04-24

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 杨变 ,  孙少东 ,  张佳语 ,  杨曼 ,  崔杰 ,  郭钰

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种高储能性的稀土掺杂钨青铜结构陶瓷材料，其结构式为(Sr0.53‑0.15xBa0.47Gdx)1‑yREyNb2O6，x的取值为0～0.1，y的取值为0.01～0.08。本发明还公开了其制备方法，将BaCO3、SrCO3、Gd2O3、RE2O3、Nb2O5混合球磨，干燥，预烧，将预烧粉经造粒、压片、排胶后烧结，即可。通过A位稀土掺杂陶瓷体系抑制了钨青铜结构陶瓷非等轴晶粒的异常长大，形成了致密的铁电储能材料，增加了弛豫特性，减少了电场下的能量耗散，另外，该陶瓷组成中不涉及高温烧结过程中易于挥发的Bi、Na、K等元素，易于器件的集成化，对设备、人力和场地要求低。