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发明公开
一种具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN115595543A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211336629.4

申请日：2022-10-28

Applicant: 西安理工大学(CN)

Inventor： 张国君 , 张亚刚 , 谭长生

IPC: C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/54 , C23C14/58

Abstract: 本发明涉及表面处理技术领域，尤其涉及一种具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜及其制备方法，采用四靶磁控溅射离子镀和退火热处理两步法进行制备，具体步骤如下：S1，采用MoB2、Mo和双Al靶四靶体系在衬底材料上进行溅射沉积，获得沉积态薄膜；S2，对沉积态薄膜进行退火热处理，获得具有222型MAB相结构的晶态MoAlB陶瓷薄膜。本发明采用磁控溅射离子镀及退火热处理两步法能够在低温条件下获得具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜；同时可以实现对特定成分和微观结构MoAlB薄膜的可控制备，且工艺稳定、易于实现产业化生产。

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