公开(公告)号：CN119275091A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411294145.7

申请日：2024-09-14

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 任泽阳 ,  宋松原 ,  张金风 ,  苏凯 ,  付裕 ,  祝子辉 ,  王超玥 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/324 ,  H01L21/285 ,  H10D64/62

Abstract: 本发明公开了一种n型掺杂低阻欧姆接触金刚石及其制备方法，该制备方法包括：选取未有意掺杂的金刚石作为金刚石衬底；在第一预设温度下，在所述金刚石衬底上注入P离子，在所述金刚石衬底的上表面形成注入层；在第二预设温度下对所述注入层进行退火，使所述注入层中P元素进行再分布；在所述注入层上表面沉积金属层。本发明以P离子注入实现金刚石的n型掺杂，掺杂浓度高，可以在低的激活能下，实现较高的带电载流子浓度和良好体电导，降低了重磷掺杂金刚石原位生长对设备的要求。

公开(公告)号：CN119913615A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510078415.9

申请日：2025-01-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 任泽阳 ,  王超玥 ,  张金风 ,  付裕 ,  苏凯 ,  李俊鹏 ,  陈军飞 ,  郝跃 ,  张进成

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C30B33/06

Abstract: 本发明涉及一种自选择侧向生长的大尺寸金刚石(110)单晶及其制备方法，制备方法包括：选取X个金刚石衬底；在每个金刚石衬底的上表面生长(110)晶向的外延金刚石层，获得X个(110)单晶外延结构；X个(110)单晶外延结构均具有(100)晶向的侧表面和(111)晶向的侧表面；将X个(110)单晶外延结构分为M组；对每组(110)单晶外延结构中的N个(110)单晶外延结构进行组内第一晶向拼接，并在第一晶向的生长条件下生长金刚石，得到M个第一拼接结构；将M个第一拼接结构进行第二晶向拼接，并在第二晶向的生长条件下生长金刚石，得到第二拼接结构；对第二拼接结构进行后处理，得到大尺寸金刚石(110)单晶。