公开(公告)号：CN118428214A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410507434.4

申请日：2024-04-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王树龙 ,  顾诗洁 ,  赵鹏 ,  陈伊蕾 ,  冯旺龙 ,  曾钰翔 ,  孙志逸

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/084 ,  G06N3/0985 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了基于神经网络的FinFET电磁可靠性预测方法，包括以下步骤；步骤1.使用TCAD为FinFET器件建模并构建电路；步骤2.获取多组HPM电磁脉冲参数、器件外接电阻阻值及其相应的电磁可靠性的指标，作为样本集；步骤3.将样本集按比例随机划分为训练集、验证集、测试集；分别对训练集、验证集的输入参数进行标准化处理，再对训练集和验证集的输出参数进行归一化处理；步骤4.构建神经网络模型；步骤5.输入样本数据集训练神经网络模型，获得训练完成的神经网络校准模型；步骤6.得到预测FinFET器件的电磁可靠性的指标。通过输入HPM电磁脉冲不同的条件以及不同的器件外接电阻，可以快速准确地获得器件烧毁时间，实验中使用的神经网络模型具有较高的预测精度。