面向电力营销业务的数据库替代方法

    公开(公告)号:CN118363947B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202410799884.5

    申请日:2024-06-20

    Abstract: 本申请的实施例涉及国产数据库替代技术领域,公开了一种面向电力营销业务的数据库替代方法,包括:将电力营销业务系统中的业务数据流划分为事务型业务数据流和分析型业务数据流;将替换候选池中的国产数据库划分为事务型国产数据库和分析型国产数据库;对事务型国产数据库和分析型国产数据库进行打分,基于得分确定目标事务型国产数据库和目标分析型国产数据库;将事务型业务数据流迁移至目标事务型国产数据库,并将分析型业务数据流迁移至目标分析型国产数据库;对数据库替代后的电力营销业务系统开展业务联调联测,在满足业务标准的情况下,发布数据库替代后的电力营销业务系统。该方法平滑地实现数据库国产化替代,大幅提升了数据安全性。

    面向电力营销业务的数据库替代方法

    公开(公告)号:CN118363947A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410799884.5

    申请日:2024-06-20

    Abstract: 本申请的实施例涉及国产数据库替代技术领域,公开了一种面向电力营销业务的数据库替代方法,包括:将电力营销业务系统中的业务数据流划分为事务型业务数据流和分析型业务数据流;将替换候选池中的国产数据库划分为事务型国产数据库和分析型国产数据库;对事务型国产数据库和分析型国产数据库进行打分,基于得分确定目标事务型国产数据库和目标分析型国产数据库;将事务型业务数据流迁移至目标事务型国产数据库,并将分析型业务数据流迁移至目标分析型国产数据库;对数据库替代后的电力营销业务系统开展业务联调联测,在满足业务标准的情况下,发布数据库替代后的电力营销业务系统。该方法平滑地实现数据库国产化替代,大幅提升了数据安全性。

    碳化硅栅状肖特基接触式核电池

    公开(公告)号:CN101923906A

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN201010220823.7

    申请日:2010-07-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的栅状肖特基接触式核电池及其制作方法,主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、栅状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为1×1015~5×1015cm-3的n型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1018~7×1018cm-3的n型SiC衬底(6)和欧姆接触电极(7),放射性同位素源层的周围是SiO2钝化层(4)。该肖特基接触层(2)由一条水平栅条和多条垂直栅条组成,水平栅条位于每条垂直栅条的中间位置,放射性同位素源层位于垂直栅条以及垂直栅条之间的外延层(5)上。本发明具有能量损失小,能量转换效率高的优点,可作为MEMS的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。

    碳化硅栅状肖特基接触式核电池

    公开(公告)号:CN101923906B

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201010220823.7

    申请日:2010-07-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的栅状肖特基接触式核电池及其制作方法,主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、栅状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为1×1015~5×1015cm-3的n型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1018~7×1018cm-3的n型SiC衬底(6)和欧姆接触电极(7),放射性同位素源层的周围是SiO2钝化层(4)。该肖特基接触层(2)由一条水平栅条和多条垂直栅条组成,水平栅条位于每条垂直栅条的中间位置,放射性同位素源层位于垂直栅条以及垂直栅条之间的外延层(5)上。本发明具有能量损失小,能量转换效率高的优点,可作为MEMS的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。

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