公开(公告)号：CN101888218B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201010214611.8

申请日：2010-06-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕红亮 ,  侯学智 ,  张玉明 ,  张义门 ,  石彦强

IPC: H03H7/48

Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路，主要解决现有调制电路占用芯片面积比大，成本高的问题。其包括：一个3-dB lange耦合器(1)，两个模拟反射型衰减器(6，7)，和1个3-dB wilkinson功率合成器(10)，该3-dB lange耦合器的直通端口输出直接通过第一衰减器(6)移相后输出到功率合成器(7)的一个输入端；该3-dB lange耦合器的耦合端口输出直接通过第二衰减器(6)移相后输出到功率合成器(10)的另一个输入端，其中每个模拟反射型衰减器的砷化镓异质结双极晶体管，其集电极分别并联连接有电阻R3和R4，用以减小Vb＝0时的反射系数|Γ|，其发射极分别串联连接有电感L1和L2，用以抵消由于HBT器件的寄生效应。本发明可用于产生I-Q调制信号或者进行频率转换。

公开(公告)号：CN102509569A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110318293.4

申请日：2011-10-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张克基 ,  张玉明 ,  张玉娟 ,  韩超 ,  石彦强

IPC: G21H1/00 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明公开了一种I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中能量转换效率降低的问题。本发明的肖特基结型核电池自下而上依次包括n型欧姆接触电极(8)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底样片(7)、n型SiC外延层(6)、SiO2钝化层(5)、肖特基金属接触层(4)、肖特基接触电极(3)、键合层(2)和放射性同位素源层(1)，其中n型SiC外延层(6)通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。

公开(公告)号：CN102354540B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201110319001.9

申请日：2011-10-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张克基 ,  张玉明 ,  张玉娟 ,  韩超 ,  石彦强

IPC: G21H1/06

CPC classification number: G21H1/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该n型SiC外延层(6)是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。

公开(公告)号：CN101923905B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201010220822.2

申请日：2010-07-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张玉明 ,  石彦强 ,  郭辉 ,  段福莉 ,  贾仁需

IPC: G21H1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的环状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、环状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为5×1014～5×1015cm-3的n型SiC外延层(5)、掺杂浓度为5×1017～5×1018cm-3的n型SiC衬底(6)和欧姆接触电极(7)，放射性同位素源层周围是SiO2钝化层(4)。该肖特基接触层(2)是采用中心为一个圆，周围是以该中心为圆心的多个圆环结构，该环状结构沿半径方向设有矩形条，矩形条的两端分别与中心圆和外圆环相接；放射性同位素源层(3)覆盖在环状肖特基金属层除矩形条外的区域及肖特基金属层之间的SiC外延层(5)上。本发明具有能量损失小，转换效率高的优点。

公开(公告)号：CN102005486A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010281472.0

申请日：2010-09-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  石彦强 ,  张玉明 ,  陈丰平

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅三极管的β射线探测器及其制作方法，主要解决了现有β射线探测器灵敏度低，抗辐照性能差和工作电压高的问题。该β射线探测器自上而下依次包括发射极欧姆接触(1)、掺杂浓度为1×1019～3×1019cm-3发射区(2)、厚0.5μm掺杂浓度为1×1017～5×1017cm-3的p型基区外延层(3)、掺杂浓度为5×1014～5×1015cm-3的n型集电区外延层(4)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型高掺杂SiC衬底(5)和衬底背面集电极欧姆接触(6)，该发射极欧姆接触(1)由一条水平栅条和多条垂直栅条组成，垂直栅条宽h＝5μm，其间距是栅宽的8～12倍，水平栅条宽度为垂直栅条宽度的2～10倍，长度是垂直栅条长度的1～10倍。本发明在300℃高温下工作，抗辐射性强，灵敏度高，工作电压低，可用于辐射监测领域。

公开(公告)号：CN101916608A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010220821.8

申请日：2010-07-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  石彦强 ,  张玉明 ,  韩超 ,  陈丰平 ,  侯学智

IPC: G21H1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、指状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(5)、掺杂浓度为5×1017～5×1018cm-3的n型SiC衬底(6)和欧姆接触电极(7)，放射性同位素源层的周围是SiO2钝化层(4)。该肖特基接触层(2)由一条由水平指条和多条垂直指条组成，所有垂直指条位于水平指条的一侧，放射性同位素源层(3)位于垂直指条及垂直指条之间的外延层(5)上。本发明具有能量损失小，能量转换效率高的优点，可作为MEMS的片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。

公开(公告)号：CN102354540A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110319001.9

申请日：2011-10-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张克基 ,  张玉明 ,  张玉娟 ,  韩超 ,  石彦强

IPC: G21H1/06

CPC classification number: G21H1/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该n型SiC外延层(6)是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。

公开(公告)号：CN102254581A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110182479.1

申请日：2011-06-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张玉娟 ,  张玉明 ,  石彦强

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅环状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(3)、SiO2致密绝缘层(2)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)采用中心为一个圆环，周围是以该中心为圆心的多个圆环结构，环间由多个矩形条相连，环的外围留有多个引脚，同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明具有能量转换效率高的优点，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。

公开(公告)号：CN102254581B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201110182479.1

申请日：2011-06-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张玉娟 ,  张玉明 ,  石彦强

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅环状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(3)、SiO2致密绝缘层(2)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)采用中心为一个圆环，周围是以该中心为圆心的多个圆环结构，环间由多个矩形条相连，环的外围留有多个引脚，同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明具有能量转换效率高的优点，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。

公开(公告)号：CN102280157A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110181205.0

申请日：2011-06-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张玉娟 ,  张玉明 ,  石彦强 ,  项萍

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅网格状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)由多个相同的正方形网格组成，正方形网格由多个横向矩形条和多个纵向矩形条分割而成，整个网格电极的外围留有多个引脚；同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明能量转换效率高，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。