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公开(公告)号：CN115001471A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210654437.1
申请日：2022-06-10
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓反射式单刀八掷开关，包括：输入端、输入电容、第一微带传输线和八条支路，各支路包括：第二微带传输线、第三微带传输线、氮化镓HEMT、控制电压信号端、隔离电阻、输出电容、隔直电容、输出端和第一节点；其中，第一微带传输线的一端经输入电容连接至输入端、另一端与第二微带传输线连接，第二微带传输线串接第三微带传输线和输出电容，输出电容与输出端连接；第一节点位于第二微带传输线与第三微带传输线之间，氮化镓HEMT的漏电极与第一节点连接、栅电极经隔离电阻连接至控制电压信号端、源电极经隔直电容接地。上述单刀八掷开关工作于24.25GHz～33GHz，具有工作频带宽、在导通状态下插入损耗小的优点。
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公开(公告)号：CN114005867A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111070445.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335 , H01L27/07
Abstract: 本发明涉及一种高电子迁移率异质结结构及制备方法、二极管、晶体管，异质结结构包括：衬底、复合缓冲区、沟道层、复合势垒区、离子注入区、凹槽和欧姆接触电极，衬底、复合缓冲区、沟道层、复合势垒区依次层叠；离子注入区贯穿复合势垒区且位于沟道层中，位于沟道层中的离子注入区部分形成n型掺杂；凹槽位于离子注入区中，同时贯穿复合势垒区且位于沟道层中；欧姆接触电极填充凹槽。该异质结结构中，沟道层中的离子注入区形成n型重掺杂，离子注入区中的欧姆接触电极与离子注入区的n型重掺杂之间形成良好的接触，从而实现了具有极低阻值的欧姆接触电极。
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公开(公告)号：CN113990867A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111044645.1
申请日：2021-09-07
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化镓单片集成电路，涉及集成电路技术领域，包括：衬底；位于衬底一侧的外延结构；外延结构包括第一开口和第二开口，沿垂直于衬底所在平面的方向，第一开口及第二开口均贯穿外延结构；其中，第一开口包括负压产生器，第二开口包括氮化镓晶体管，且负压产生器与所述氮化镓晶体管电连接。本发明通过在同一衬底上单片集成负压产生器和氮化镓晶体管，实现了硅CMOS负压产生器和氮化镓射频集成电路的近距离、紧凑集成，不仅能够减小最终电路的体积、减少封装成本，同时也可以抑制引线延迟，提高了整个电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN113341664A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110396502.0
申请日：2021-04-13
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记结构及其制备方法，该方法包括：S1：清洗SOI衬底；S2：在SOI衬底上涂覆反转光刻胶；S3：利用对准标记掩模版，采用光刻反转工艺在反转光刻胶上形成对准标记光刻图形；S4：根据对准标记光刻图形，在没有被反转光刻胶覆盖的区域进行干法刻蚀处理，刻蚀完成后去除样品表面残留的反转光刻胶，得到凹陷型电子束套刻对准标记；其中，凹陷型电子束套刻对准标记为尺寸≥20μm×20μm，深度≥500nm的方形结构；凹陷型电子束套刻对准标记的外周凹槽的宽度≥50μm。本发明的方法，利用光刻反转工艺在反转光刻胶上形成对准标记光刻图形后，只需通过一次刻蚀即可得到凹陷型对准标记，制备工艺流程更为简单。
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