公开(公告)号：CN113594342B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202110546574.9

申请日：2021-05-19

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 许晟瑞 ,  赵颖 ,  马凯立 ,  彭若诗 ,  范晓萌 ,  杜金娟 ,  张雅超 ,  张金风 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种嵌套金刚石散热层的纳米柱LED结构及制备方法，该纳米柱LED结构包括：衬底层；成核层，位于衬底层上；第一n型掺杂GaN层，位于成核层上；键合层，间隔分布在第一n型掺杂GaN层上；金刚石层，位于键合层上；若干纳米柱LED结构，位于第一n型掺杂GaN层上，且每个纳米柱LED结构均嵌套于金刚石层和键合层中；若干第一电极，位于第一n型掺杂GaN层上，且位于金刚石层之间，若干第一电极与若干纳米柱LED结构一一对应；若干第二电极，一一对应的设置在纳米柱LED结构上。该纳米柱LED结构将纳米柱LED结构嵌套于金刚石层中，同时解决了器件的散热问题和出光问题，提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN114530374A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202011322843.5

申请日：2020-11-23

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 许晟瑞 ,  杜金娟 ,  苏华科 ,  张金风 ,  彭若诗 ,  周弘 ,  张春福 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种基于溅射AlON/金刚石基板的HEMT器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取金刚石衬底并进行预处理；在所述金刚石衬底表面形成溅射AlON过渡层；在溅射AlON过渡层上依次生长GaN缓冲层、AlGaN势垒层以及GaN帽层；在GaN帽层上制作金属电极以完成器件的制备。本发明通过在金刚石衬底与GaN缓冲层之间引入溅射AlON过渡层，可以实现在金刚石衬底上直接生长GaN及其异质结构，避免了传统方法中的衬底剥离和键合技术对器件造成的影响，提高了器件性能，且工艺简单。

公开(公告)号：CN113594342A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110546574.9

申请日：2021-05-19

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 许晟瑞 ,  赵颖 ,  马凯立 ,  彭若诗 ,  范晓萌 ,  杜金娟 ,  张雅超 ,  张金风 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种嵌套金刚石散热层的纳米柱LED结构及制备方法，该纳米柱LED结构包括：衬底层；成核层，位于衬底层上；第一n型掺杂GaN层，位于成核层上；键合层，间隔分布在第一n型掺杂GaN层上；金刚石层，位于键合层上；若干纳米柱LED结构，位于第一n型掺杂GaN层上，且每个纳米柱LED结构均嵌套于金刚石层和键合层中；若干第一电极，位于第一n型掺杂GaN层上，且位于金刚石层之间，若干第一电极与若干纳米柱LED结构一一对应；若干第二电极，一一对应的设置在纳米柱LED结构上。该纳米柱LED结构将纳米柱LED结构嵌套于金刚石层中，同时解决了器件的散热问题和出光问题，提高了器件的性能。