公开(公告)号：CN117577727A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311454753.5

申请日：2023-11-03

Applicant: 西安西电电力系统有限公司 ,  中国西电电气股份有限公司

Inventor： 孙小平 ,  谢伟峥 ,  彭程 ,  王永新 ,  何岸 ,  任军辉 ,  窦明鑫 ,  袁昊

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供了一种异质pin紫外光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，异质pin紫外光电二极管包括：n型欧姆接触1、n+型4H‑SiC衬底2、n型4H‑SiC外延缓冲层3、n+型4H‑SiC外延层4、n‑型4H‑SiC外延层5、p型NiO外延层6、p型欧姆接触9、金属焊盘10；其中，在n+型4H‑SiC衬底2正面从下至上的外延层依次为n型4H‑SiC外延缓冲层3、n+型4H‑SiC外延层4、n‑型4H‑SiC外延层5、p型NiO外延层6；覆盖n+型4H‑SiC外延层4、n‑型4H‑SiC外延层5和p型NiO外延层6的钝化保护层7；光学减反层8，设置于钝化保护层7正面。

公开(公告)号：CN117457780A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311458763.6

申请日：2023-11-03

Applicant: 西安西电电力系统有限公司 ,  中国西电电气股份有限公司

Inventor： 娄彦涛 ,  彭程 ,  谢伟峥 ,  何岸 ,  王永新 ,  任军辉 ,  袁昊 ,  窦明鑫

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种横向异质结pin光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，横向异质结pin光电二极管包括：蓝宝石衬底1、p型NiO外延层2、含镁离子的β‑Ga2O3外延层3、n型β‑Ga2O3外延层4、n型欧姆接触7、p型欧姆接触8、金属焊盘9；其中，p型NiO外延层2、含镁离子的β‑Ga2O3外延层3、n型β‑Ga2O3外延层4依次横向排列于蓝宝石衬底1正面；金属焊盘9连接于p型欧姆接触8；SiNx钝化保护层5，设置于在p型NiO外延层2、n型β‑Ga2O3外延层4和蓝宝石衬底1刻蚀的台阶上；光学减反层6，设置于SiNx钝化保护层5正面。