一种移动式终端智能供电装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116799848A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202210259623.5

    申请日:2022-03-16

    Abstract: 本发明公开了一种移动式终端智能供电装置,包括:储能模块、DC/DC功率模块、DC/AC功率模块和控制模块;储能模块与DC/DC功率模块的输入端连接;DC/AC功率模块的直流侧与DC/DC功率模块的输出端共直流母线连接;控制模块接收配网能量信息,并依据配网能量信息控制储能模块、DC/DC功率模块和DC/AC功率模块运行,并获取储能模块、DC/DC功率模块和DC/AC功率模块的状态信息。可以在离网运行的情况下,也可为直流电动负载充电,同时也可以为交流负载提供电能,还具备实时数据双向互动功能,同时向用户开放,从而对发电量、用电量、无功补偿系数、充放电量补偿等参数进行合理调节,达到资源的有效利用。

    一种SiC MOSFET三电平逆变电路损耗计算方法

    公开(公告)号:CN105450062B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201510900848.4

    申请日:2015-12-08

    CPC classification number: Y02B70/1483

    Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET三电平逆变电路损耗计算方法,根据T型三电平电路拓扑建立开关管导通损耗计算模型和开关管开关损耗计算模型;根据建立开关管导通损耗计算模型和开关管开关损耗计算模型,建立单相4个SiC MOSFET和二极管的损耗计算模型;将单相4个SiC MOSFET和二极管的损耗相加,之和乘以三,即得到SiC MOSFET三电平逆变电路损耗。该方法根据已知所使用的SiC MOSFET器件在额定状态下的特性参数,可以快速估算各种条件下的功率损耗,该方法的计算结果精确,计算速度快,能够满足工程需要。

    一种多端口一体化能源路由器装置

    公开(公告)号:CN116054268A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202111266104.3

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种多端口一体化能源路由器装置,包括:若干个DC/AC功率模块的输入侧与直流母线连接,其输出侧并联后接入交流配电网;若干个DC/DC功率模块的输入侧分别连接不同类型接口,输出侧分别与直流母线连接;电气中央控制器分别与DC/AC功率模块、DC/DC功率模块和管理调度模块连接;燃机中央控制器分别与管理调度模块和燃气轮机连接;管理调度模块依据预设策略分别控制电气中央控制器和燃机中央控制器,依据电网能量信息向DC/AC功率模块和DC/DC功率模块发送功率调度指令,以实现能量交互。通过端口间的能量调控和信息交互,实现了能源互联网的多能流路由和协调控制,实现了源‑网‑荷‑储的协调运行分析控制。

    一种电力电子器件驱动电源
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113783443A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111241520.8

    申请日:2021-10-25

    Abstract: 本发明一种电力电子器件驱动电源,包括软起网络、控制芯片、功率开关模块、变压器、倍压电路以及输出电路;软起网络连接至控制芯片,在所述控制芯片上电时,所述软起网络电压逐渐升高使得所述控制芯片输出脉冲电压逐渐升高;控制芯片输出脉冲信号,控制所述功率开关模块输出电压至变压器的原边;变压器副边输出电压经倍压电路升压后,由输出电路输出驱动电力电子器件。本发明电路设计简单精巧,保证了驱动电源工作的可靠性。本发明结构简单、成本低、并能提高整个驱动电源的工作性能、安全性和可靠性。

    一种SiCMOSFET三电平逆变电路损耗计算方法

    公开(公告)号:CN105450062A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201510900848.4

    申请日:2015-12-08

    CPC classification number: Y02B70/1483 H02M7/483 H02M2001/0054

    Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET三电平逆变电路损耗计算方法,根据T型三电平电路拓扑建立开关管导通损耗计算模型和开关管开关损耗计算模型;根据建立开关管导通损耗计算模型和开关管开关损耗计算模型,建立单相4个SiC MOSFET和二极管的损耗计算模型;将单相4个SiC MOSFET和二极管的损耗相加,之和乘以三,即得到SiC MOSFET三电平逆变电路损耗。该方法根据已知所使用的SiC MOSFET器件在额定状态下的特性参数,可以快速估算各种条件下的功率损耗,该方法的计算结果精确,计算速度快,能够满足工程需要。

    一种全控型快速切换开关
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117081371A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311210495.6

    申请日:2023-09-19

    Abstract: 本发明涉及一种全控型快速切换开关,属于储能系统技术领域。全控型快速切换开关包括电子开关模块、电子开关驱动电路、驱动控制电路、外部控制信号接口电路、直流电源以及散热系统。电子开关模块采用三相反串联电路,每一相由两个反向的IGBT串联而成。电子开关驱动电路包括6个驱动支路,用于分别根据驱动控制电路生成的6路驱动信号控制电子开关模块中对应的6个IGBT。驱动控制电路用于将接收到的电子开关模块的控制信号变换为6路驱动信号。外部控制信号接口电路用于将中央控制模块发出的控制信号变换为驱动控制电路所需的信号。与现有技术相比,本发明有效地解决了采用晶闸管开关进行切换遇到的固有问题,切换开关完全受控,切换时间短。

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