公开(公告)号：CN119626891A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411801352.7

申请日：2024-12-09

Applicant: 西安龙威半导体有限公司

Inventor： 同小锦 ,  吴朝科 ,  王鑫 ,  姚明明

IPC: H01L21/02 ,  C30B31/14 ,  C30B31/18

Abstract: 本发明涉及一种高温炉控温硅片及延长高温炉控温硅片使用寿命的方法，属于半导体芯片制造技术领域，高温炉控温硅片，在衬底层上设置有氧化层，由于氧化层的热膨胀系数小于未经氧化的衬底层的热膨胀系数，在相同的温度条件下，氧化层的形变量小于衬底层的形变量，从而通过氧化层对高温炉控温硅片整体起到了与形变方向相反的作用力，进而起到了延缓高温炉控温硅片上发生的形变的作用。本发明的延长高温炉控温硅片使用寿命的方法，在保证正常使用高温炉控温硅片的前提下，通过定期旋转的方式改变了高温炉控温硅片上的受力点和受力方向，从而延缓了高温炉控温硅片上发生的形变，延长了高温炉控温硅片的使用寿命。

公开(公告)号：CN119290248A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411432252.1

申请日：2024-10-14

Applicant: 西安龙威半导体有限公司

Inventor： 季伟 ,  王鑫 ,  姚明明

IPC: G01L21/00 ,  G01L21/30

Abstract: 本发明涉及一种真空度监控系统及方法，该系统包括：相互电连接的传感器模块和数据分析模块；传感器模块，设于一个密封腔室内，用于定时采集该密封腔室内的真空度数据；数据分析模块，用于接收并存储传感器模块发送的真空度数据，并利用真空度数据与预设真空度数据进行运算处理，获得一个处理值，判断处理值是否处于预设上限值与预设下限值所组成的范围内，若否，基于处理值对应的判断结果，生成报警信息。该系统可以通过实时监测密封腔室的真空度变化，并存储对应的真空度数据的手段，可以极大减小半导体器件制造的真空工艺作业环节，半导体表面状态对真空度的影响，稳定密封腔室的真空稳定性。