一种真空度监控系统及方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119290248A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411432252.1

    申请日:2024-10-14

    Inventor: 季伟 王鑫 姚明明

    Abstract: 本发明涉及一种真空度监控系统及方法,该系统包括:相互电连接的传感器模块和数据分析模块;传感器模块,设于一个密封腔室内,用于定时采集该密封腔室内的真空度数据;数据分析模块,用于接收并存储传感器模块发送的真空度数据,并利用真空度数据与预设真空度数据进行运算处理,获得一个处理值,判断处理值是否处于预设上限值与预设下限值所组成的范围内,若否,基于处理值对应的判断结果,生成报警信息。该系统可以通过实时监测密封腔室的真空度变化,并存储对应的真空度数据的手段,可以极大减小半导体器件制造的真空工艺作业环节,半导体表面状态对真空度的影响,稳定密封腔室的真空稳定性。

    真空密度计和基于真空密度计进行真空度检测的方法

    公开(公告)号:CN118961051A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411449879.8

    申请日:2024-10-17

    Inventor: 徐禄祥 卢世旭

    Abstract: 本公开涉及真空计量技术领域,公开一种真空密度计和基于真空密度计进行真空度检测的方法,真空密度计包括屏蔽室和放电室。其中,屏蔽室包括屏蔽罩;放电室位于屏蔽罩内,包括磁路和阳极,磁路包括导磁底板、放电室外壳、磁极和磁芯,导磁底板和放电室外壳围成具有放电出口的放电区域,磁极、磁芯和至少部分阳极位于放电区域中且与放电出口相对设置,磁极产生的磁场依次经过导磁底板、放电室外壳和磁芯后返回磁极,阳极用于连接第一电源的正极,屏蔽罩和放电室外壳用于连接第二电源的负极。可以提高检测精度。

    一种可控气压的碱金属气室激光熔断外腔充制装置

    公开(公告)号:CN118655503A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202410659350.2

    申请日:2024-05-24

    Abstract: 一种可控气压的碱金属气室激光熔断外腔充制装置,通过真空腔室、真空系统、气室夹持装置、加热单元、控制单元五部分的组合,能够控制碱金属气室的气压,并且可以实现4个大气压以内的充制,采用激光切割尾管的技术,可以有效减小目前碱金属气室的尾管长度,采用自动化的激光熔断装置,提高了气室尾管切割的一致性,满足多个气室加工需求,腔体内部采用镜面抛光处理,减少了表面的放气量,并提高了抽速。本发明实现了高一致性、高稳定性的碱金属气室外腔充制,有利于实现碱金属气室的自动化气体充制。

    基于磁控放电理论高压真空断路器灭弧室真空度检测系统

    公开(公告)号:CN106855449B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN201611047758.6

    申请日:2016-11-23

    Abstract: 基于磁控放电理论高压真空断路器灭弧室真空度检测系统,其特征在于:该系统包括微处理系统(1)、电场高压产生模块(2)、磁场线圈IGBT驱动模块(6)、第二IGBT驱动模块(7)、灭弧室(8)、磁场电容(9)、电压检测模块(10)、电场高压驱动模块(11)、电流检测模块(12)、控制面板(13)、显示屏(14)、显示驱动单元(15)、数据存储模块(16)、通信模块(17)、打印机(18)和电容充电模块(19),其利用磁放电理论实现真空度的准确检测,与火花计法和泄漏电流法相比较具有检测精度高、可靠性好、稳定性等优点,同时利用数据存储模块实现真空度数据的长期存储,为后续真空度状态评估技术发展奠定基础。(3)、第一IGBT模块(4)、第二IGBT模块(5)、第一

    一种精密测量冷原子真空系统压强的传感装置及方法

    公开(公告)号:CN114354057B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202210007999.7

    申请日:2022-01-05

    Abstract: 本发明公开了一种精密测量冷原子真空系统压强的传感装置及方法。其装置采用在二维磁光阱腔室上及三维磁光阱腔室上分别配置离子泵、钛泵及激光器,并在二维磁光阱腔室上还配置了原子炉,在三维磁光阱腔室上还配置了高纯度气瓶、球面透镜、光电倍增管及数据采集卡;其方法采用所述装置实现,第一步,提取出原子损失率Γ;第二步,获得当前阱深修正的损失率系数Kloss;并通过计算,获得冷原子真空系统的真空压强P。本发明遵循冷原子本身的秉性,解决了超高或极高真空中精确量化真空度的问题,其测量范围不受背景气体数密度的影响,与传统的真空计量装置相比,具有测量精度更高,可测量真空压强更小,且不需要反复校准的优势。

    一种片上微型电离真空传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN112903183A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201911132811.6

    申请日:2019-11-19

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 魏贤龙 杨威

    Abstract: 本发明提供了一种片上微型电离真空传感器及其制造方法,包括片上微型电子源、第一绝缘层、第一收集极、第二绝缘层和第二收集极;片上微型电子源朝向第一绝缘层的一侧具有电子发射结构;第一绝缘层具有第一通孔,第一通孔贯穿第一绝缘层;第一收集极具有第一网孔,第一网孔贯穿第一收集极;第二绝缘层具有第二通孔,第二通孔贯穿第二绝缘层;第二收集极具有第二网孔,第二网孔贯穿第二收集极;第一通孔、第一网孔、第二通孔以及第二网孔相互贯通。本发明采用片上微型电子源代替了常规的灯丝,由于该片上微型电离真空传感器通过微纳加工工艺和键合工艺制备而成,尺寸小,因此,可以扩大电离真空传感器测量真空度的上限,即可以应用在中低真空领域。

    真空电子器件内部真空度检测方法

    公开(公告)号:CN112611507A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011386393.6

    申请日:2020-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种真空电子器件内部真空度检测方法,包括:确定真空电子器件的加电方式和加电参数;将真空电子器件的标准样管与离子流测量系统连接;将标准样管进行抽真空,使标准样管内达到需要对标的真空度;测量标准样管在所对标的真空度下的阳极离子流;测试不同的对标真空度下的离子流,完成离子流与真空度对应关系的标定工作,得到离子流‑真空度标定表或离子流‑真空度量化模型;将真空电子器件的待测样管与离子流测量系统连接;测量待测样管的阳极离子流;对照离子流‑真空度标定表或将所测量的阳极离子流代入离子流‑真空度量化模型,获得待测样管的真空度。本发明能够对真空电子器件内部真空度进行高真空、高测量精度的无损检测。

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