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公开(公告)号：CN106024029A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610205799.7
申请日：2016-03-31
Applicant: 西部数据传媒公司
Inventor： E·吉尔吉斯 , P·玛尼 , C·帕普索 , M·德赛 , R·阿查亚
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/73
Abstract: 本发明公开了PMR介质中用于SNR改善的TBFECO。本公开总体涉及用于在HDD中使用的PMR介质。PMR介质具有设置在加盖结构内的非晶铁磁材料层。非晶铁磁材料层降低噪声。非晶铁磁材料层可以被设置在加盖层之间或在加盖层的顶部。此外，非晶铁磁材料层可以包含Tb。
