公开(公告)号：CN107112978A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580071137.9

申请日：2015-12-24

Applicant: 西铁城时计株式会社

Inventor： 野野垣阳一 ,  木下嘉将 ,  赤羽隆志 ,  早田智史

IPC: H03H9/25 ,  G01K7/32

Abstract: 本发明提供一种具有对高温环境的耐性、能够使用2～2.5GHz频段以上的频带的、新的并且使用能够稳定供给的压电材料的表面声波器件(1)。表面声波器件(1)包括：由钙黄长石(CAS：Ca2Al(AlSi)O7)单晶形成的压电基片(10)；和形成在上述压电基片(10)的表面声波传播面(11)的梳形电极(12、13)。

公开(公告)号：CN107112978B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201580071137.9

申请日：2015-12-24

Applicant: 西铁城时计株式会社

Inventor： 野野垣阳一 ,  木下嘉将 ,  赤羽隆志 ,  早田智史

IPC: H03H9/25 ,  G01K7/32

Abstract: 本发明提供一种具有对高温环境的耐性、能够使用2～2.5GHz频段以上的频带的、新的并且使用能够稳定供给的压电材料的表面声波器件(1)。表面声波器件(1)包括：由钙黄长石(CAS：Ca2Al(AlSi)O7)单晶形成的压电基片(10)；和形成在上述压电基片(10)的表面声波传播面(11)的梳形电极(12、13)。

公开(公告)号：CN107923069A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048382.2

申请日：2016-08-18

Applicant: 西铁城精密器件株式会社 ,  西铁城时计株式会社

Inventor： 高桥郁生 ,  青木孝之 ,  野野垣阳一 ,  木下嘉将

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供一种高绝缘电阻率且高强度的钽酸镓镧系单晶的制造方法以及钽酸镓镧系单晶。钽酸镓镧系单晶的制造方法是通过从原料溶液提拉结晶的切克劳斯基法来培养钽酸镓镧系单晶的钽酸镓镧系单晶的制造方法，其中，将单晶的起始原料溶液收纳于铂坩埚，以单晶的培养轴为Z轴，在不活泼气体中含有大于5体积％的混合气体的培养气氛下进行培养。

公开(公告)号：CN107923069B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201680048382.2

申请日：2016-08-18

Applicant: 西铁城精密器件株式会社 ,  西铁城时计株式会社

Inventor： 高桥郁生 ,  青木孝之 ,  野野垣阳一 ,  木下嘉将

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供一种高绝缘电阻率且高强度的钽酸镓镧系单晶的制造方法以及钽酸镓镧系单晶。钽酸镓镧系单晶的制造方法是通过从原料溶液提拉结晶的切克劳斯基法来培养钽酸镓镧系单晶的钽酸镓镧系单晶的制造方法，其中，将单晶的起始原料溶液收纳于铂坩埚，以单晶的培养轴为Z轴，在不活泼气体中含有大于5体积％的混合气体的培养气氛下进行培养。