-
公开(公告)号：CN102362346A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200980157697.0
申请日：2009-12-23
Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司
IPC: H01L23/522 , B61B7/00 , B81C1/00 , H01L21/768 , G02B26/08
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B7/0006 , B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , G02B6/3518 , G02B6/3584 , G02B26/0841 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种分层的微型电子和/或微型机械结构，其包括至少三个交替的导电层，其中在导电层之间具有绝缘层。还设置有第一外层中的通孔，所述通孔包括由晶片天然材料制成的穿过该层的绝缘导电连接；导电销，其延伸穿过其他层并进入第一外层中的所述通孔，以提供穿过各层的导电性；以及绝缘外壳，其围绕所述其他层中的至少一个选定层中的所述导电销，用于将所述销与所述选定层中的材料绝缘。本发明还涉及一种微型电子和/或微型机械设备，其包括设置在腔上方的可动构件，使得该可动机构能够在至少一个方向上运动。该设备具有根据本发明的分层结构。还提供了制造这种分层的MEMS结构的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105916801B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201480058712.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/01 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2201/0153 , B81C2201/036 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , H01L21/50 , H01L23/08 , H01L24/94 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明涉及一种器件，所述器件包括：基体基板(700)，所述基体基板具有安装于所述基体基板的微型的部件(702)。合适地所述器件设置有引线元件(704)，其用于向所述部件(702)传导信号和从所述部件(702)传导信号。所述器件还包括间隔构件(706)，其也能够用作用于上下传导信号的传导结构。还有玻璃材料的盖结构(708)，其设置在所述基体基板(700)的上方并优选地通过共晶接合经由所述间隔构件(706)与所述基体基板(700)接合，其中所述盖结构(708)包括通孔(710)，所述通孔(710)包括用于提供贯穿所述盖结构的电连接的金属。可以在将玻璃加热至软化且施加压力下，通过涉及将针压至玻璃中的预定深度的冲/压方法来制备通孔。然而，例如钻孔、蚀刻、喷丸的其它方法也是可行的。
-
公开(公告)号：CN105916801A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480058712.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/01 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2201/0153 , B81C2201/036 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , H01L21/50 , H01L23/08 , H01L24/94 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明涉及一种器件，所述器件包括：基体基板(700)，所述基体基板具有安装于所述基体基板的微型的部件(702)。合适地所述器件设置有引线元件(704)，其用于向所述部件(702)传导信号和从所述部件(702)传导信号。所述器件还包括间隔构件(706)，其也能够用作用于上下传导信号的传导结构。还有玻璃材料的盖结构(708)，其设置在所述基体基板(700)的上方并优选地通过共晶接合经由所述间隔构件(706)与所述基体基板(700)接合，其中所述盖结构(708)包括通孔(710)，所述通孔(710)包括用于提供贯穿所述盖结构的电连接的金属。可以在将玻璃加热至软化且施加压力下，通过涉及将针压至玻璃中的预定深度的冲/压方法来制备通孔。然而，例如钻孔、蚀刻、喷丸的其它方法也是可行的。
-
公开(公告)号：CN102362346B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200980157697.0
申请日：2009-12-23
Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司
IPC: H01L23/522 , B61B7/00 , B81C1/00 , H01L21/768 , G02B26/08
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B7/0006 , B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , G02B6/3518 , G02B6/3584 , G02B26/0841 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种分层的微型电子和/或微型机械结构，其包括至少三个交替的导电层，其中在导电层之间具有绝缘层。还设置有第一外层中的通孔，所述通孔包括由晶片天然材料制成的穿过该层的绝缘导电连接；导电销，其延伸穿过其他层并进入第一外层中的所述通孔，以提供穿过各层的导电性；以及绝缘外壳，其围绕所述其他层中的至少一个选定层中的所述导电销，用于将所述销与所述选定层中的材料绝缘。本发明还涉及一种微型电子和/或微型机械设备，其包括设置在腔上方的可动构件，使得该可动机构能够在至少一个方向上运动。该设备具有根据本发明的分层结构。还提供了制造这种分层的MEMS结构的方法。
-
公开(公告)号：CN1791975B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200480013932.4
申请日：2004-03-22
Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC classification number: B81B7/0006 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及一种在导电或半导电衬底第一(顶部)和第二(底部)表面之间形成电连接线的方法。它包括在第一表面内形成沟槽，并建立与该沟槽界定的衬底部分完全分离的绝缘包围区。本发明还涉及可用作制造微电子和/或微机械器件初始衬底的产品，包括半导体或导电材料的平衬底，并具有第一和第二表面及至少一个贯穿该衬底的导电元件。此导电元件被有限的绝缘材料层与平衬底周围的材料隔开，且包含和衬底相同的材料，即它是由晶片材料制成的。
-
公开(公告)号：CN1791975A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013932.4
申请日：2004-03-22
Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC classification number: B81B7/0006 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及一种在导电或半导电衬底第一(顶部)和第二(底部)表面之间形成电连接线的方法。它包括在第一表面内形成沟槽，并建立与该沟槽界定的衬底部分完全分离的绝缘包围区。本发明还涉及可用作制造微电子和/或微机械器件初始衬底的产品，包括半导体或导电材料的平衬底，并具有第一和第二表面及至少一个贯穿该衬底的导电元件。此导电元件被有限的绝缘材料层与平衬底周围的材料隔开，且包含和衬底相同的材料，即它是由晶片材料制成的。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.031 seconds)
