一种MOSFET开关驱动电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108880521A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810416594.2

    申请日:2018-05-03

    Abstract: 本发明涉及一种MOSFET开关驱动电路,通过控制信号捕捉电路、充电电路、信号脉冲发生电路和功率放大电路,能够实现百纳秒级脉冲宽度的快速开通和关断。并且,充电电路中的第一电容在充电过程中,电阻上产生了一个正向的电压脉冲信号,该电压脉冲信号的电压超过信号脉冲发生电路高电平识别基准的部分,将识别为具有一定脉冲宽度的高电平信号,经过脉冲发生电路转换成低电平的锁存信号,以锁定在脉冲持续期间与非门逻辑门电路能够持续输出高电平,不会被输入控制信号的抖动所影响,实现低电平的纳秒级方波脉冲信号的反馈闭锁。在无脉冲输出期间使得控制信号恢复成高电平后对充电电路进行放电,确保该电路的重复工作功能。

    一种高频防反硅堆及高频升压变压器

    公开(公告)号:CN112350589A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202011210376.7

    申请日:2020-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种高频防反硅堆及高频升压变压器。高频防反硅堆包括绝缘罩,所述绝缘罩内通过组合支撑件堆叠安装高频二极管;所述组合支撑件由若干层支撑件自上至下连接而成;每层所述支撑件的中心处开设内固定孔,固定每个所述高频二极管的内侧;每层所述支撑件沿相同半径开设若干外固定孔,固定每个所述高频二极管的外侧;相邻两层所述支撑件之间开设预留孔,固定上一层的最后一个所述高频二极管和下一层的第一个所述高频二极管。高频升压变压器包括高压输出航插、变压器初级线圈、变压器次级线圈、泄放回路、高频整流板、泄放电阻和高频防反硅堆。本发明结构紧凑,体积小,能够及时泄放残余电压,减少残余电压对人体的损害。

    一种高频升压变压器
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112350589B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202011210376.7

    申请日:2020-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种高频升压变压器,包括高压输出航插、变压器初级线圈、变压器次级线圈、泄放回路、高频整流板、泄放电阻和高频防反硅堆,所述高频防反硅堆包括绝缘罩,所述绝缘罩内通过组合支撑件堆叠安装高频二极管;所述组合支撑件由若干层支撑件自上至下连接而成;每层所述支撑件的中心处开设内固定孔,固定每个所述高频二极管的内侧;每层所述支撑件沿相同半径开设若干外固定孔,固定每个所述高频二极管的外侧;相邻两层所述支撑件之间开设预留孔,固定上一层的最后一个所述高频二极管和下一层的第一个所述高频二极管。本发明结构紧凑,体积小,能够及时泄放残余电压,减少残余电压对人体的损害。

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