公开(公告)号：CN1914747B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN200580003728.9

申请日：2005-03-03

Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司

Inventor： 安斯加尔·维尔纳 ,  奥拉夫·库尔 ,  西蒙·格斯勒 ,  健多郎·哈拉达 ,  霍斯特·哈特曼 ,  安德烈·格鲁辛 ,  迈克尔·利默特 ,  安德里亚·卢克斯

IPC: H01L51/30 ,  C07F11/00 ,  C07F5/02

CPC classification number: H01L51/0084 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1037 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1059 ,  C09K2211/1092 ,  C09K2211/186 ,  C09K2211/188 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5092 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及金属络合物作为掺杂物用于掺杂有机半导体基质材料中的用途，以改变后者的电气特性，及构成基质的n-掺杂物的化合物。为了提供甚至具有低还原电位基质材料的n-掺杂有机半导体，同时实现高电导率，提出使用具有中心原子，优选价电子数至少为16的中性的或者带电过渡金属原子的中性富电子金属络合物，作为所述的掺杂物化合物。所述的络合物特别是多核的并具有至少一个金属-金属键。至少一个配位体与所述的中心原子可以形成π络合物；它是桥接配位体，尤其是hpp，硼酸酯，碳硼烷或者三氮杂环烷烃，或者可以包含至少一个负碳离子-碳原子或者选自C(碳烯)，Si(亚甲硅基)，Ge(亚甲锗基)，Sn，Pb的二价原子。本发明也涉及新颖的n-掺杂物和生产它们的方法。