公开(公告)号：CN101583745A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200780042434.6

申请日：2007-11-14

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  财团法人大阪产业振兴机构

Inventor： 森勇介 ,  佐佐木孝友 ,  川村史朗 ,  吉村政志 ,  川原实 ,  北冈康夫 ,  森下昌纪

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B19/02 ,  Y10T117/1024

Abstract: 提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。

公开(公告)号：CN1327044C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03818328.5

申请日：2003-06-30

Applicant: 财团法人大阪产业振兴机构

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  大前邦途 ,  岩桥友也 ,  森下昌纪

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B9/10 ,  C30B9/12 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明的目的在于提供能够高收率制造透明、位错密度少、高品质、且大块状的Ⅲ族元素氮化物的单晶的制造方法。该方法是在钠(Na)和选自碱金属(Na除外)和碱土金属之中的至少一种的混合助熔剂(Flux)中，使选自由镓(Ga)、铝(Al)及铟(In)组成的组中的至少一种Ⅲ族元素与氮(N)反应，藉此使Ⅲ族元素氮化物单晶得以生长。本发明的氮化镓单晶为高品质的、透明的大块状单晶，具有极高的实用价值。

公开(公告)号：CN1671892A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03818328.5

申请日：2003-06-30

Applicant: 财团法人大阪产业振兴机构

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  大前邦途 ,  岩桥友也 ,  森下昌纪

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B9/10 ,  C30B9/12 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明的目的在于提供能够高收率制造透明、位错密度少、高品质、且大块状的III族元素氮化物的单晶的制造方法。该方法是在钠(Na)和选自碱金属(Na除外)和碱土金属之中的至少一种的混合助熔剂(Flux)中，使选自由镓(Ga)、铝(Al)及铟(In)组成的组中的至少一种III族元素与氮(N)反应，藉此使III族元素氮化物单晶得以生长。本发明的氮化镓单晶为高品质的、透明的大块状单晶，具有极高的实用价值。