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公开(公告)号：CN119576065A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411663030.0
申请日：2024-11-20
Applicant: 贵州师范大学
Inventor： 王德贵 , 孙志海 , 毕津顺 , 刘雪飞 , 艾尔肯·阿不都瓦衣提 , 肖文君 , 吴宗桂 , 戎小凤 , 刘明强 , 王刚 , 高昌松 , 陈璇 , 王珍 , 吴艳 , 吴冬妮
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了半导体电路技术领域的一种具有二阶温度补偿的高电源抑制比的带隙基准电路，包括启动电路用于在电路启动时提供一个偏置电流，避免电路工作在运算放大器电路输入端的正负反馈支路电流都为0的这一个稳定工作点；运算放大器电路用于钳位，利用其虚短特性令运算放大器两个输入端的电压近似相等；二阶温度补偿电路用于补偿双极型晶体管的基级‑发射极电压中线性与非线项，降低带隙基准电路的温漂；基准电压输出电路用于输出基准电压，提供稳定精确的参考电压源，同时参与进启动电路产生的启动电流控制中去。本发明创新高效，能够提供稳定的温漂小的基准电压，同时还让其具有较大的电压输入范围和高的电源抑制比以及可靠的启动电路。
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公开(公告)号：CN119129219A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411173210.0
申请日：2024-08-26
Applicant: 贵州师范大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体纳米晶体管的设计与仿真方法，属于二维材料的设计与应用技术领域，包括以下步骤：S1：材料选择；S2：表面处理；S3：金属接触设计；S4：器件结构优化；S5：仿真工具和方法；本发明通过优化金属‑半导体界面，降低了接触电阻；通过采用新型界面工程策略，实现了可控的能带对齐；提出了简化的制造工艺，降低了成本；提高了器件的电学性能，如开态电流和开关比；降低了接触电阻，提高了载流子迁移率；提供了一种低成本、高效率的制造工艺。
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公开(公告)号：CN119007767A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411003552.8
申请日：2024-07-25
Applicant: 贵州师范大学
IPC: G11C7/16
Abstract: 本发明属于电子录音器技术领域，公开了一种极低功耗的电子录音器，包括设于电子录音器内部的录音器电路结构，录音器电路结构包括采集模块、数字处理模块、存储模块和电源模块，采集模块对输入的声波进行采集，并将其转化为电信号后传输至数字处理模块；数字处理模块基于TFET的逻辑电路，将接受到的电信号进行处理，形成连续的模拟信号后传输到存储模块；存储模块是基于FeRAM的电容性质的存储结构，对接受到的模拟信号进行存储；电源模块用于采集模块、数字处理模块和存储模块的稳定供电；本发明采用基于TFET的逻辑电路对采集的声音信号进行处理，以及铪基铁电存储器对声音信号进行模拟存储，该电子录音器的总功耗低，续航能力、寿命长。
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公开(公告)号：CN118588512A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410753558.0
申请日：2024-06-12
Applicant: 贵州师范大学 , 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度空气沟道器件的制备工艺，涉及纳米尺度空气沟道器件技术领域，其技术方案要点是：该方法具体包括在硅衬底淀积介质层1、图形化后，干法刻蚀形成凹槽、淀积介质层2、淀积发射金属、采用湿法刻蚀形成沟道等5个步骤。通过预先淀积湿法刻蚀选择比不同的介质层的方法，以缓解现有技术中刻蚀终点难以把握，导致过刻蚀或者未完全刻蚀导致影响器件性能的问题。
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公开(公告)号：CN117775134A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310877649.0
申请日：2023-07-18
Applicant: 贵州师范大学
IPC: B62D57/024 , H04W84/18 , G05D1/49
Abstract: 本发明公开了攀爬机器人技术领域的基于STM32的多场景轮式攀爬机器人，包括机器人和控制机器人的控制系统，机器人包括支撑件和机器人组件，支撑件包括第一副支撑件、主支撑板和第二副支撑件；且主支撑板与第一副支撑件和第二副支撑件连接处均设有用于转动角度的第一驱动舵机；机器人组件包括第一驱动部、第二驱动部和第三驱动部；且第一驱动部与第一副支撑件连接处和第三驱动部与第二副支撑件的连接处均设有用于转动角度的第二驱动舵机；第一驱动部、第二驱动部和第三驱动部均包括驱动电机，驱动电机的输出轴连接有爬行轮胎。本发明结构简单，通过驱动不同驱动舵机和驱动电机能够实现本机器人适用于多种场景的移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119181449A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411255009.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 贵州师范大学
Abstract: 本发明公开了一种二维范德华半导体材料与器件界面热输运性能的模拟方法，包括步骤一：界面热导精确建模与理论计算优化，从而实现界面热导的精准预测与降低策略；步骤二：界面热输运机制的实验验证与性能优化，从而实现理论与实验的深度结合与验证体系建立；步骤三：通过上述步骤实现微纳电子器件热管理性能的显著提升和热可靠性增强。本发明的优点：1.通过精准模拟二维范德华半导体界面的热输运特性；2.多尺度界面热管理策略的创新开发，丰富了界面热管理的技术手段，更为微纳电子器件的高效散热和热稳定性提供了全新的设计思路。
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公开(公告)号：CN118571925A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410706357.5
申请日：2024-06-03
Applicant: 贵州师范大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度空气沟道器件结构及其制备工艺，涉及半导体技术领域，其结构包括衬底、第一介质层、第一硅层、第二介质层、空气沟道、第二硅层，其制备工艺步骤包括：S1：在硅衬底淀积第一介质层；S2：淀积第一硅层，进行掺杂操作1，调节第一硅层的功函数；S3：淀积第二介质层；S4：采用图形化工艺刻蚀形成凹槽；S5：通过外延技术在凹槽中外延形成锗硅；S6：淀积第二硅层，进行掺杂操作2，调节第二硅层的功函数；S7：通过湿法刻蚀技术，刻蚀步骤S5外延生长的锗硅，形成空气沟道。本发明通过预先淀积锗硅的方法，后续直接湿法刻蚀锗硅，以精确控制沟道宽度，制备稳定宽度的器件，且刻蚀的沟道在内部，后续工艺中生长材料不会污染沟道。
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公开(公告)号：CN116849628A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310772332.0
申请日：2023-06-28
Applicant: 贵州师范大学 , 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
IPC: A61B5/0205 , A61B5/1455
Abstract: 本发明公开了基于单片机的智能健康监测系统，涉及电子通信与健康监测技术领域，其技术方案要点是：包括电路板、单片机、心率血氧监测模块、体温监测模块、时钟模块、显示屏、数据传输模块和充电模块；所述单片机、心率血氧监测模块、体温监测模块、时钟模块、显示屏、数据传输模块和充电模块搭载于电路板上，所述心率血氧监测模块、体温监测模块、时钟模块、显示屏、数据传输模块、充电模块与单片机连接。能够实现人体基本指标的监测，如心率、血氧、温度等，并且将数据传输到手机上，实现远程监测和管理。
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公开(公告)号：CN119652274A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411722295.3
申请日：2024-11-28
Applicant: 贵州师范大学
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种带自偏置电路的轨到轨运算放大器模拟IC芯片，包括基准电流源电路和运算放大器电路；基准电流源电路包括启动电路、正温度系数电路、负温度系数电路和电流求和电路；运算放大器电路包括输入级电路、中间级电路和输出级电路。本发明通过不带运算放大器的基准电流源电路充当自偏置电路，使其精度得到了提升同时还减小了芯片面积；通过采用电平移位技术，使共模输入电压范围在负电源轨到正电源轨之间，并采用前馈式AB类放大电路作为输出级电路。与传统的电平移位技术相比，该电平移位技术只使用了两对差分对，没有加入传统电平移位技术使用的源极跟随器。
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公开(公告)号：CN119597089A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411759521.5
申请日：2024-12-03
Applicant: 贵州师范大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有动态负载补偿的LDO电路，涉及电源管理技术领域，其技术方案要点是：包括误差放大器、功率管M1、反馈电路以及动态负载补偿电路；功率管M1为P型场效应晶体管；反馈电路检测输出电压，并把输出电压反馈到误差放大器；动态负载补偿电路连接功率管M1的漏极，用于感应输出电压VOUT的变化，并根据输出电压VOUT的变化调节功率管M1的漏极输出的驱动电流I0。本发明通过动态负载补偿电路对功率管的输出电流进行动态调整，进而调整输出电压，并通过瞬态响应仿真时动态负载补偿电路能够有效的减少电流负载在瞬态变化时输出电压恢复响应的时间，从而能使LDO电路稳定高效的运行。
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