公开(公告)号：CN115924918A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211447218.2

申请日：2018-05-23

Applicant: 赢创运营有限公司

Inventor： J.泰希曼 ,  M.瓦格纳 ,  H-W.莱尔纳

IPC: C01B33/107 ,  C01B33/06 ,  C07F7/30

Abstract: 本发明涉及用于制备锗‑硅‑层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基‑三氯甲锗烷及其制备方法。用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)或作为甲硅烷基团(SiH3)的转移剂的三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH3)。通过在溶液中用氢化物还原三氯甲硅烷基‑三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)来制备三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH3)的方法。通过在溶液中在AlCl3存在下使三氯甲硅烷基三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)与氯化氢(HCl)反应来制备三氯甲硅烷基三氯甲锗烷(Cl3Ge‑SiCl3)的方法。三氯甲硅烷基三氯甲锗烷用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)的用途。

公开(公告)号：CN110799458A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201880035956.1

申请日：2018-05-23

Applicant: 赢创运营有限公司

Inventor： J.泰希曼 ,  M.瓦格纳 ,  H-W.莱尔纳

IPC: C01B33/04 ,  C01B33/06 ,  C01B33/107 ,  H01L21/205

Abstract: 用于制备锗-硅-层(Ge-Si)或作为甲硅烷基团(SiH3)的转移剂的三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge-SiH3)。通过在溶液中用氢化物还原三氯甲硅烷基-三苯基甲锗烷(Ph3Ge-SiCl3)来制备三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge-SiH3)的方法。通过在溶液中在AlCl3存在下使三氯甲硅烷基三苯基甲锗烷(Ph3Ge-SiCl3)与氯化氢(HCl)反应来制备三氯甲硅烷基三氯甲锗烷(Cl3Ge-SiCl3)的方法。三氯甲硅烷基三氯甲锗烷用于制备锗-硅-层(Ge-Si)的用途。

公开(公告)号：CN108976255B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN201810546263.0

申请日：2018-05-31

Applicant: 赢创运营有限公司

Inventor： J.泰赫曼 ,  M.瓦格纳 ,  H-W.勒纳

IPC: C07F7/30 ,  C07F9/54 ,  C07C211/63 ,  C07C211/00 ,  C01G17/00

Abstract: 本发明涉及新型卤代锗化物及其制备方法。具体地，本发明涉及通式I的三氯锗化物(I)[R4N]/[R4P]Cl[GeCl3]，其中R=Me、Et、iPr、nBu、Ph。

公开(公告)号：CN110799458B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201880035956.1

申请日：2018-05-23

Applicant: 赢创运营有限公司

Inventor： J.泰希曼 ,  M.瓦格纳 ,  H-W.莱尔纳

IPC: C01B33/04 ,  C01B33/06 ,  C01B33/107 ,  H01L21/205

Abstract: 用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)或作为甲硅烷基团(SiH3)的转移剂的三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH3)。通过在溶液中用氢化物还原三氯甲硅烷基‑三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)来制备三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH3)的方法。通过在溶液中在AlCl3存在下使三氯甲硅烷基三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)与氯化氢(HCl)反应来制备三氯甲硅烷基三氯甲锗烷(Cl3Ge‑SiCl3)的方法。三氯甲硅烷基三氯甲锗烷用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)的用途。