公开(公告)号：CN104662210B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201380050766.4

申请日：2013-09-17

Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司

Inventor： M.许纳曼 ,  T.凯泽 ,  W.勒曼

IPC: C30B15/10 ,  C30B30/06

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032

Abstract: 在已知的根据切克劳斯基法提拉半导体单晶的方法中，在石英玻璃坩埚中制造半导体熔体并从中提拉半导体单晶。所述石英玻璃坩埚的内壁和所述半导体熔体的自由熔体表面在此在坩埚内壁上径向环绕的接触区彼此接触并分别与熔体气氛接触，由此引发从所述接触区开始的熔体初振动。以在此基础上提供一种方法，其以减少的熔体振动和特别是以简单而短暂的拉晶过程为特征，本发明提出，引发频率彼此不同的初振动。

公开(公告)号：CN104662210A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380050766.4

申请日：2013-09-17

Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司

Inventor： M.许纳曼 ,  T.凯泽 ,  W.勒曼

IPC: C30B15/10 ,  C30B30/06

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032

Abstract: 在已知的根据切克劳斯基法提拉半导体单晶的方法中，在石英玻璃坩埚中制造半导体熔体并从中提拉半导体单晶。所述石英玻璃坩埚的内壁和所述半导体熔体的自由熔体表面在此在坩埚内壁上径向环绕的接触区彼此接触并分别与熔体气氛接触，由此引发从所述接触区开始的熔体初振动。以在此基础上提供一种方法，其以减少的熔体振动和特别是以简单而短暂的拉晶过程为特征，本发明提出，引发频率彼此不同的初振动。