公开(公告)号：CN106373872A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610569727.0

申请日：2016-07-19

Applicant: 超科技公司

Inventor： R·巴蒂亚

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0331 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/008 ,  H01G9/07 ,  H01L24/03 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/033

Abstract: 用于基于电极的器件的原子层沉积工艺的掩蔽方法在此被公开，其中焊料被用为掩蔽材料。所述方法包含使具有有源器件区域以及阻挡层的电气器件的电气接触组件暴露，其中阻挡层由原子层沉积工艺所形成。本方法包含沉积焊料元件在电气接触组件上，然后以原子层沉积工艺形成阻挡层。阻挡层会覆盖有源器件区域并且还覆盖分别覆盖电气接触组件的焊料元件。之后焊料元件会被熔融，因而移除覆盖焊料元件的阻挡层的相应部分。类似的方法可用于在形成分层电容器时暴露接触件。