公开(公告)号：CN1799150A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015116.7

申请日：2004-10-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 马克·P·德伊夫林 ,  曹宪安 ,  张安平 ,  斯蒂文·F·莱伯夫 ,  洪慧聪 ,  朴东实 ,  克里斯蒂·J·纳兰格

IPC: H01L33/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L33/105 ,  C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  Y10T117/1064

Abstract: 本发明提供一种用于制造谐振腔发光器件的方法。该方法中，种子氮化镓晶体(14)和源材料(30)布置在含氮过热流体(44)中，所述含氮过热流体(44)设置在置于多区熔炉(50)中的密封容器(10)中。氮化镓材料生长在所述种子氮化镓晶体(14)上从而产生单晶氮化镓衬底(106、106′)。所述生长包括施加时间变化的温度梯度(100、100′、102、102′)在所述种子氮化镓晶体(14)和所述源材料(30)之间从而在至少一部分生长期间产生增大的生长速率。III族氮化物层的堆叠(112)沉积在所述单晶氮化镓衬底(106、106′)上，其包括第一镜子堆叠(116)和适于制造成一个或者更多个谐振腔发光器件(108、150、160、170、180)的有源区(120)。