公开(公告)号：CN102569064B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110460740.X

申请日：2011-12-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： H·A·布莱德斯 ,  G·T·达拉科斯 ,  D·W·费尔努伊 ,  A·R·诺尔思拉普 ,  J·C·罗霍 ,  P·J·梅施特 ,  彭红樱 ,  曹洪波 ,  奚衍罡 ,  R·D·戈斯曼 ,  张安平

IPC: H01L21/324 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明名称为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10-4Ohm-cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。

公开(公告)号：CN102569064A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110460740.X

申请日：2011-12-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： H·A·布莱德斯 ,  G·T·达拉科斯 ,  D·W·费尔努伊 ,  A·R·诺尔思拉普 ,  J·C·罗霍 ,  P·J·梅施特 ,  彭红樱 ,  曹洪波 ,  奚衍罡 ,  R·D·戈斯曼 ,  张安平

IPC: H01L21/324 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/548 ,  C23C14/56 ,  C23C14/5806 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10-4Ohm-cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。

公开(公告)号：CN1799150A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015116.7

申请日：2004-10-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 马克·P·德伊夫林 ,  曹宪安 ,  张安平 ,  斯蒂文·F·莱伯夫 ,  洪慧聪 ,  朴东实 ,  克里斯蒂·J·纳兰格

IPC: H01L33/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L33/105 ,  C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  Y10T117/1064

Abstract: 本发明提供一种用于制造谐振腔发光器件的方法。该方法中，种子氮化镓晶体(14)和源材料(30)布置在含氮过热流体(44)中，所述含氮过热流体(44)设置在置于多区熔炉(50)中的密封容器(10)中。氮化镓材料生长在所述种子氮化镓晶体(14)上从而产生单晶氮化镓衬底(106、106′)。所述生长包括施加时间变化的温度梯度(100、100′、102、102′)在所述种子氮化镓晶体(14)和所述源材料(30)之间从而在至少一部分生长期间产生增大的生长速率。III族氮化物层的堆叠(112)沉积在所述单晶氮化镓衬底(106、106′)上，其包括第一镜子堆叠(116)和适于制造成一个或者更多个谐振腔发光器件(108、150、160、170、180)的有源区(120)。