公开(公告)号：CN109868447B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201711250097.1

申请日：2017-12-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 徐悟生 ,  周宏 ,  钟大龙 ,  L·C·迪亚尔 ,  L·B·库尔

IPC: C23C10/20

Abstract: 通过以下步骤修改制品的表面：在第一温度使初始表面渗铝以形成第一渗铝层以及次层，移除该第一渗铝层的至少一部分，在第二温度使该次层渗铝以形成第二渗铝层，以及最后移除该第二渗铝层的至少一部分以形成经处理表面。该第二温度低于该第一温度，并且该经处理表面的粗糙度小于该初始表面的粗糙度。

公开(公告)号：CN110129859A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201810127577.7

申请日：2018-02-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 徐晟 ,  古彦飞 ,  钟大龙

IPC: C25D13/00 ,  C23G1/00 ,  C25F1/02 ,  C23C4/02

Abstract: 本发明涉及一种掩蔽元件中的孔并对元件进行处理的方法，所述元件包括开口于其表面的至少一个孔，所述方法包括：将所述元件放入包括掩蔽材料颗粒的电泳液中作为电极，向所述元件和所述元件的对电极施加电压，通过电泳作用使得所述电泳液中的掩蔽材料颗粒沉积到所述至少一个孔内，以掩蔽所述至少一个孔；对所述元件的表面进行处理；及将所述至少一个孔内的掩蔽材料去除。

公开(公告)号：CN109868447A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201711250097.1

申请日：2017-12-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 徐悟生 ,  周宏 ,  钟大龙 ,  L·C·迪亚尔 ,  L·B·库尔

IPC: C23C10/20

Abstract: 通过以下步骤修改制品的表面：在第一温度使初始表面渗铝以形成第一渗铝层以及次层，移除该第一渗铝层的至少一部分，在第二温度使该次层渗铝以形成第二渗铝层，以及最后移除该第二渗铝层的至少一部分以形成经处理表面。该第二温度低于该第一温度，并且该经处理表面的粗糙度小于该初始表面的粗糙度。

公开(公告)号：CN102214708A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010147515.6

申请日：2010-04-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 张明龙 ,  钟大龙 ,  吴召平

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03365 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 薄膜太阳能电池包括：背接触层；与背接触层相邻的包含吸收材料和掺杂物的吸收层；缓冲层；位于吸收层和缓冲层之间的掺杂物阻挡层；以及与缓冲层相邻的窗口层。本发明还涉及前述薄膜太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN101858995A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010165182.X

申请日：2010-04-09

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 奚衍罡 ,  L·查卡拉科斯 ,  B·A·科雷瓦尔 ,  T·R·托利弗 ,  钟大龙

IPC: G02B1/11 ,  G02B1/12

CPC classification number: G02B1/118

Abstract: 本发明描述一种减反射涂膜。涂膜布置在基片的表面上。减反射涂膜包括基本透明纳米结构的阵列，所述纳米结构具有基本垂直于基片表面的主轴。基本透明纳米结构阵列的特征在于梯度折光指数。在一些实施方案中，各纳米结构具有沿着主轴基本均匀的横截面。本发明还描述相关方法和器件。

公开(公告)号：CN109986077B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201810002030.4

申请日：2018-01-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 钟大龙 ,  魏斌 ,  武颖娜 ,  吴勇 ,  翟梓融 ,  昌海 ,  L·T·拉希

IPC: B22F3/105 ,  B22F3/17

Abstract: 一种增材制造系统，其特征在于，包括能量源装置和锻造装置。所述能量源装置用来提供第一能量束和第二能量束。所述锻造装置包括锻造头。所述第一能量束和基底可彼此相对移动用于熔融至少一部分添加至所述基底表面的打印材料以形成熔覆层。所述锻造头用来在形成所述熔覆层的过程中锻造所述熔覆层。所述第二能量束用于加热所述熔覆层的锻造区域。

公开(公告)号：CN110129859B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201810127577.7

申请日：2018-02-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 徐晟 ,  古彦飞 ,  钟大龙

IPC: C25D13/00 ,  C23G1/00 ,  C25F1/02 ,  C23C4/02

Abstract: 本发明涉及一种掩蔽元件中的孔并对元件进行处理的方法，所述元件包括开口于其表面的至少一个孔，所述方法包括：将所述元件放入包括掩蔽材料颗粒的电泳液中作为电极，向所述元件和所述元件的对电极施加电压，通过电泳作用使得所述电泳液中的掩蔽材料颗粒沉积到所述至少一个孔内，以掩蔽所述至少一个孔；对所述元件的表面进行处理；及将所述至少一个孔内的掩蔽材料去除。

公开(公告)号：CN109986011A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201810001883.6

申请日：2018-01-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 昌海 ,  钟大龙 ,  武颖娜 ,  吴勇 ,  翟梓融 ,  王一枫

IPC: B21J13/06 ,  C23C24/10

Abstract: 一种用于增材制造的锻造头，其特征在于，其包括基部和锻造部。所述锻造部从所述基部一端向下延伸，用于在增材制造形成熔覆层的过程中作用于所述熔覆层。所述锻造头还包括贯穿所述基部和所述锻造部的通孔，用于在形成所述熔覆层的过程中让能量束或者打印材料的至少一种通过。

公开(公告)号：CN109702127A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201711013952.7

申请日：2017-10-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 翟梓融 ,  钟大龙 ,  武颖娜 ,  魏斌 ,  杨勇 ,  陈晓宾

IPC: B21J7/14 ,  B21J7/04 ,  B22F3/00

Abstract: 本发明涉及增材制造系统及方法。所述系统包括材料输送器、能量源和微锻装置。所述材料输送器设置来输送材料。所述能量源设置来使能量束指向所述材料，该能量束将至少部分所述材料熔化以形成固化部分。所述微锻装置可与所述材料输送器一起移动来对所述固化部分进行锻造，其包括第一锻造锤头和第二锻造锤头，所述第一锻造锤头设置来对所述固化部分进行锤击并产生第一形变量，所述第二锻造锤头设置来对所述固化部分进行锤击并产生第二形变量，所述第二形变量大于所述第一形变量。

公开(公告)号：CN106480405B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201510536089.8

申请日：2015-08-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 高绪彬 ,  古彦飞 ,  钟大龙 ,  杰姆斯·安东尼·鲁德 ,  韦恩·查尔斯·哈什 ,  周琰 ,  曲苗 ,  王丽敏 ,  帕扎雅努尔·拉玛那森·萨勃拉曼尼亚

IPC: C23C14/06 ,  C23C16/00 ,  C23C18/02

Abstract: 一种用于处理具有表面的装置的方法包括：将贵金属前驱体和磷酸铝前驱体施加于所述表面，以及，加热从而在所述表面获得含有贵金属和磷酸铝的覆层。一种相应装置包括具有含有贵金属和磷酸铝的覆层的表面。