公开(公告)号：CN101026119B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200610172450.4

申请日：2006-12-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： W·范 ,  A·桑 ,  J·伦纳茨 ,  T·W·金

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67103 ,  Y10S269/903 ,  Y10T279/23

Abstract: 通过以下制造一种晶片处理装置：沉积薄膜电极到基底衬底的表面上，然后用保护涂层薄膜层覆盖该结构，该保护涂层薄膜层包括选自B、Al、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属及其组合中的元素的氮化物、碳化物、碳氮化物或氧氮化物的至少一种。该薄膜电极具有紧密匹配下面基底衬底层的热膨胀系数(CTE)和保护涂层的CTE的CTE。

公开(公告)号：CN101026119A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610172450.4

申请日：2006-12-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： W·范 ,  A·桑 ,  J·伦纳茨 ,  T·W·金

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67103 ,  Y10S269/903 ,  Y10T279/23

Abstract: 通过以下制造一种晶片处理装置：沉积薄膜电极到基底衬底的表面上，然后用保护涂层薄膜层覆盖该结构，该保护涂层薄膜层包括选自B、Al、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属及其组合中的元素的氮化物、碳化物、碳氮化物或氧氮化物的至少一种。该薄膜电极具有紧密匹配下面基底衬底层的热膨胀系数(CTE)和保护涂层的CTE的CTE。