公开(公告)号：CN101101887A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200610064284.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·J·奥莱奇诺维茨 ,  D·M·鲁辛科 ,  W·范 ,  D·萨里加尼斯 ,  M·谢普肯斯 ,  D·A·龙沃思 ,  V·L·罗 ,  X·刘 ,  J·克卢格

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46

Abstract: 一种晶片处理设备特征在于具有抗腐蚀连接，用于其电连接、穿通沟道、凹进区、升高区、MESA、通孔例如起模顶杆孔、螺栓孔、盲孔等，特定的结构采用具有良好化学稳定性质和最佳CTE的连接体和填料，该最佳的CTE即具有紧密匹配基底基板层的CTE、电极以及涂层的CTE的热膨胀系数(CTE)。在一个实施例中，采用了包括玻璃-陶瓷材料的填料组成。

公开(公告)号：CN101026119B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200610172450.4

申请日：2006-12-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： W·范 ,  A·桑 ,  J·伦纳茨 ,  T·W·金

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67103 ,  Y10S269/903 ,  Y10T279/23

Abstract: 通过以下制造一种晶片处理装置：沉积薄膜电极到基底衬底的表面上，然后用保护涂层薄膜层覆盖该结构，该保护涂层薄膜层包括选自B、Al、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属及其组合中的元素的氮化物、碳化物、碳氮化物或氧氮化物的至少一种。该薄膜电极具有紧密匹配下面基底衬底层的热膨胀系数(CTE)和保护涂层的CTE的CTE。

公开(公告)号：CN101154555A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200610064415.0

申请日：2006-12-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·玛丽娜 ,  A·萨恩 ,  T·埃巴塔 ,  M·谢普肯斯 ,  刘翔 ,  W·范

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  C03B11/12

Abstract: 提供了一种用于调节/控制衬底表面温度的加热装置。至少一个热解石墨(TPG)层嵌入加热器，以扩散加热装置中不同部件的温度差并且提供衬底表面温度的时间空间上的控制，从而实现衬底上最高和最低温度点之间的差值低于10℃的相对均匀的衬底温度。

公开(公告)号：CN101026119A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610172450.4

申请日：2006-12-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： W·范 ,  A·桑 ,  J·伦纳茨 ,  T·W·金

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67103 ,  Y10S269/903 ,  Y10T279/23

Abstract: 通过以下制造一种晶片处理装置：沉积薄膜电极到基底衬底的表面上，然后用保护涂层薄膜层覆盖该结构，该保护涂层薄膜层包括选自B、Al、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属及其组合中的元素的氮化物、碳化物、碳氮化物或氧氮化物的至少一种。该薄膜电极具有紧密匹配下面基底衬底层的热膨胀系数(CTE)和保护涂层的CTE的CTE。