公开(公告)号：CN105924200A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610106271.4

申请日：2016-02-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.D.斯泰贝尔

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/80 ,  C04B35/571 ,  C04B35/565

CPC classification number: C04B35/573 ,  C04B35/806 ,  C04B38/0022 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5268 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0074 ,  C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/571 ,  C04B2235/5216

Abstract: 本发明涉及陶瓷基质复合物制品及用于形成其的方法。具体而言，一种陶瓷基质制品包括具有第一游离硅比例的熔化渗入陶瓷基质复合物基底，其包括陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料，以及具有第二游离硅比例的熔化渗入陶瓷基质复合物外层，其包括设置在基底的至少一部分的外表面上的陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料，或具有第二游离硅比例的聚合物浸渍和热解的陶瓷基质复合物外层，其包括设置在基底的至少一部分的外表面上的陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料。第二游离硅比例小于第一游离硅比例。

公开(公告)号：CN105924200B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610106271.4

申请日：2016-02-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.D.斯泰贝尔

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/80 ,  C04B35/571 ,  C04B35/565

CPC classification number: C04B35/573 ,  C04B35/806 ,  C04B38/0022 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5268 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0074

Abstract: 本发明涉及陶瓷基质复合物制品及用于形成其的方法。具体而言，一种陶瓷基质制品包括具有第一游离硅比例的熔化渗入陶瓷基质复合物基底，其包括陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料，以及具有第二游离硅比例的熔化渗入陶瓷基质复合物外层，其包括设置在基底的至少一部分的外表面上的陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料，或具有第二游离硅比例的聚合物浸渍和热解的陶瓷基质复合物外层，其包括设置在基底的至少一部分的外表面上的陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料。第二游离硅比例小于第一游离硅比例。

公开(公告)号：CN104010992A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280064845.6

申请日：2012-12-07

Applicant: 通用电气公司

Inventor： G.H.科比 ,  J.D.斯泰贝尔 ,  N.D.戈斯

IPC: C04B35/573 ,  B32B18/00 ,  F02C7/00 ,  C04B35/64 ,  F01D25/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/591 ,  C04B35/628 ,  C04B35/80

CPC classification number: C04B35/64 ,  B32B18/00 ,  C04B35/573 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/591 ,  C04B35/6286 ,  C04B35/62863 ,  C04B35/62865 ,  C04B35/62868 ,  C04B35/62871 ,  C04B35/62894 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5256 ,  C04B2235/5268 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/38 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/525 ,  C04B2237/61 ,  F01D25/00 ,  F02C7/00 ,  F05D2300/2261 ,  F05D2300/6033 ,  H04W4/023 ,  H04W4/80 ,  Y10T29/49236 ,  Y10T428/249986

Abstract: 本发明涉及制造含硅CMC制品的方法。所述方法需要在碳化硅(SiC)纤维上沉积一个或多个涂层，牵拉所述涂布的SiC纤维穿过浆料以产生涂有浆料的纤维材料，且随后加工所述涂有浆料的SiC纤维材料以形成单向预浸渍带。将所述带堆叠且随后烧制以产生多孔预成型件。随后所述多孔预成型件通过浸渗其中的孔隙而进一步致密化，从而产生CMC制品。浸渗可通过一系列聚合物浸渗和热解(PIP)步骤、通过在用碳或一种或多种难熔金属填充在所述预成型件中的孔隙之后而熔体浸渗(MI)、通过化学气相浸渗(CVI)或通过这些浸渗技术的组合来实现。