公开(公告)号：CN103794477A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210423325.1

申请日：2012-10-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  K.马托查 ,  P.桑维克 ,  Z.斯塔姆 ,  P.罗西 ,  J.麦克马洪

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7827

Abstract: 在一个实施例中，本发明包括包含单独的MOSFET单元的MOSFET。每个单元包括U形阱（228）（P型）和在阱之内形成的两个平行的源极（260）（N型）。多个源极横档（262）（掺杂N的）在多个位置连接源极（260）。在两个横档（262）之间的区域包括体（252）（P型）。这些特征形成于N型外延层（220）上，该N型外延层（220）形成于N型衬底（216）上。接触（290）延伸跨过并且接触多个源极横档（262）和体（252）。栅极氧化物和栅极接触覆盖在第一阱的腿和第二邻近阱的腿上，响应于栅极电压使导电型反转。MOSFET包括多个这些单元来获得期望的低沟道电阻。通过在制造过程的几个状态利用自对准技术来形成单元区域。

公开(公告)号：CN103794477B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201210423325.1

申请日：2012-10-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  K.马托查 ,  P.桑维克 ,  Z.斯塔姆 ,  P.罗西 ,  J.麦克马洪

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 在一个实施例中，发明包括包含单独的MOSFET单元的MOSFET。每个单元包括U形阱（228）（P型）和在阱之内形成的两个平行的源极（260）（N型）。多个源极横档（262）（掺杂N的）在多个位置连接源极（260）。在两个横档（262）之间的区域包括体（252）（P型）。这些特征形成于N型外延层（220）上，该N型外延层（220）形成于N型衬底（216）上。接触（290）延伸跨过并且接触多个源极横档（262）和体（252）。栅极氧化物和栅极接触覆盖在第一阱的腿和第二邻近阱的腿上，响应于栅极电压使导电型反转。MOSFET包括多个这些单元来获得期望的低沟道电阻。通过在制造过程的几个状态利用自对准技术来形成单元区域。