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公开(公告)号：CN111640687B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010510585.7
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法，包括如下步骤：在单晶晶圆样品的表面随机选取正向测试条和反向测试条，然后使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验，且对正向测试条和反向测试条的划擦方向相反，得到沿着两个相反方向划擦后的单晶晶圆样品，通过检测设备对单晶晶圆样品表面的两条划痕的表面形貌进行检测，最后观察两个划痕表面的裂纹形式及影响区的宽度，确定裂纹影响区的宽度相对小的划擦方向为最优的划片方向。本发明能够用于单晶晶圆加工成芯片后将连在一起的芯片分成单个芯片的应用中，能够确定最优加工方向，减少崩边的尺寸，提高加工质量和晶圆的利用率。
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公开(公告)号：CN111633559A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010515340.3
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法，首先将需要加工的样品在提前设定好参数的白光干涉仪上进行三维形貌的检测，得到三维形貌检测图和测量数据，对每个测量区域得到的测量数据均进行表面重构并分别计算重构后每个测量区域表面最高点和最低点之间的材料体积V，取所有测量区域的材料体积的平均值，作为需要去除的材料余量体积V1，根据测量区域的面积以及需要去除的材料余量体积V1计算得到整个加工区域需要去除的材料体积。本发明提供的预测方法能对精密超精密加工中下一道材料需要去除的材料体积进行预测，还能用于光电、半导体材料加工流程中研磨、磨削等工序加工量的预估，应用范围广。
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公开(公告)号：CN111638305B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010510890.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种用于确定单晶材料最优加工方向的方法，所述方法为制作单晶材料样品，确定单晶材料样品所有的潜在最优加工方向，对单晶材料沿着每个潜在最优加工方向进行加工；在每次加工中获取用于测评该潜在最优加工方向的评定特征；所述的评定特征包括加工过程中的加工力、加工完成后的表面形貌特征和亚表面损伤层深度；所述的加工力包括切向力和法向力；最后根据评定特征，选择出最优加工方向，提高加工效率和加工的质量。
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公开(公告)号：CN111638305A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010510890.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种用于确定单晶材料最优加工方向的方法，所述方法为制作单晶材料样品，确定单晶材料样品所有的潜在最优加工方向，对单晶材料沿着每个潜在最优加工方向进行加工；在每次加工中获取用于测评该潜在最优加工方向的评定特征；所述的评定特征包括加工过程中的加工力、加工完成后的表面形貌特征和亚表面损伤层深度；所述的加工力包括切向力和法向力；最后根据评定特征，选择出最优加工方向，提高加工效率和加工的质量。
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公开(公告)号：CN111640687A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010510585.7
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法，包括如下步骤：在单晶晶圆样品的表面随机选取正向测试条和反向测试条，然后使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验，且对正向测试条和反向测试条的划擦方向相反，得到沿着两个相反方向划擦后的单晶晶圆样品，通过检测设备对单晶晶圆样品表面的两条划痕的表面形貌进行检测，最后观察两个划痕表面的裂纹形式及影响区的宽度，确定裂纹影响区的宽度相对小的划擦方向为最优的划片方向。本发明能够用于单晶晶圆加工成芯片后将连在一起的芯片分成单个芯片的应用中，能够确定最优加工方向，减少崩边的尺寸，提高加工质量和晶圆的利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111633559B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010515340.3
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法，首先将需要加工的样品在提前设定好参数的白光干涉仪上进行三维形貌的检测，得到三维形貌检测图和测量数据，对每个测量区域得到的测量数据均进行表面重构并分别计算重构后每个测量区域表面最高点和最低点之间的材料体积V，取所有测量区域的材料体积的平均值，作为需要去除的材料余量体积V1，根据测量区域的面积以及需要去除的材料余量体积V1计算得到整个加工区域需要去除的材料体积。本发明提供的预测方法能对精密超精密加工中下一道材料需要去除的材料体积进行预测，还能用于光电、半导体材料加工流程中研磨、磨削等工序加工量的预估，应用范围广。
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公开(公告)号：CN115128054B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110323147.4
申请日：2021-03-25
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种活性金属氧化物磨粒与金刚石晶圆衬底界面摩擦化学反应的检测方法，通过磁控溅射法，在纳米压痕划痕仪用的金刚石压头表面包覆一层厚度均匀可控的活性金属氧化物磨粒壳层，通过与金刚石晶圆衬底的划擦实验来控制活性金属氧化物磨粒与晶圆之间的界面作用关系，再通过扫描探针显微拉曼光谱仪对金刚石晶圆衬底表面的相互作用区域进行化学成分检测，从而明确活性金属氧化物磨粒与晶圆衬底的界面摩擦化学反应机理，其操作简单，在半导体晶圆衬底的高效超精密加工领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108682647B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810778032.2
申请日：2018-07-16
Applicant: 华侨大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法，包括真空吸附平台、打码器、读码器、移动载体、位置调节装置、控制装置；所述打码器设置于移动载体上，所述移动载体包括第一移动载体、第二移动载体；所述读码器设置于所述位置调节装置上，所述位置调节装置包括第一位置调节装置、第二位置调节装置；所述控制装置控制所述第一移动载体、第二移动载体、第一位置调节装置和第二位置调节装置滑动；所述真空吸附平台用于放置和固定晶圆片。应用本技术方案可实现对晶圆片制备及后续芯片制作过程的全流程质量跟踪和监控。
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公开(公告)号：CN117381633A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311319622.6
申请日：2023-10-12
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于半导体抛光技术领域，具体涉及一种宽禁带半导体晶圆抛光方法，其包括：将柔性固结磨料抛光膜安装抛光盘上，将宽禁带半导体晶圆设置在柔性固结磨料抛光膜表面，并在宽禁带半导体晶圆上方设置载物盘；向载物盘施加载荷，使宽禁带半导体晶圆与柔性固结磨料抛光膜产生挤压接触，驱动所述抛光盘转动，以使柔性固结磨料抛光膜与宽禁带半导体晶圆在不同旋转速度下产生相对运动；在柔性固结磨料抛光膜表面加入两性离子化合物溶液作为抛光液，抛光液在所述磨粒的摩擦诱导下与宽禁带半导体晶圆产生界面化学反应，生成硬度较低的反应层；通过磨粒去除反应层，实现宽禁带半导体晶圆的抛光。本发明具有加工精度高、效率高、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN117182793A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311239319.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种金刚石磨盘及其制备方法，所述金刚石磨盘由盘体和打磨面组成，所述打磨面配置在盘体上，用于在旋转后对外部工作面实施平整打磨；所述盘体配置成由DLP光固化的3D打印方式制造出为多孔结构的多边形结块所构造成；多个所述多边形结块通过结合剂规则拼接而成呈环柱体的所述盘体；每一结块的内端面均匀分布有不同形状的孔隙，所述孔隙构造为一体形成在结块上，并通过各个孔隙相互协作配合形成所述打磨面；通过DLP光固化3D打印技术制造出金刚石磨盘，可根据设计要求制造出合适的孔隙率和孔径，使磨盘具有多孔结构，不受传统的模具限制，能够满足不同结块的设计需求，可根据需要调整孔隙率和孔径，提供更好的磨削效果。
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