导电性膜的制造方法和电晕放电处理后的导电性膜

    公开(公告)号:CN114974728A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210147028.2

    申请日:2022-02-17

    Abstract: 本发明提供能够使体积电阻率降低的导电性膜的制造方法和电晕放电处理后的导电性膜。导电性膜的制造方法是由包含聚丙烯类高分子和导电性金属填充物的树脂组成物构成的导电性膜的制造方法。该制造方法包括:使用树脂组成物生成导电性膜的步骤;和通过对导电性膜实施电晕放电处理来使导电性膜的体积电阻率降低的步骤。

    集电体
    3.
    发明公开
    集电体 审中-实审

    公开(公告)号:CN116491001A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202180078062.2

    申请日:2021-11-04

    Abstract: 集电体包括第1导电性树脂层和第2导电性树脂层。第1导电性树脂层包含第1导电性填料。第2导电性树脂层形成在第1导电性树脂层上,且包含第2导电性填料。第1导电性填料为导电性碳。第2导电性填料包含选自铂、金、银、铜、SUS(Stainless Used Steel:不锈钢)、镍和钛中的至少1种金属。第2导电性树脂层中的金属的质量百分比浓度为60wt%以上。

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