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公开(公告)号：CN119937311A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510087125.0
申请日：2025-01-20
Applicant: 重庆云潼科技有限公司
IPC: G05B13/04
Abstract: 本申请提供了一种频率自适应电路，功率调节模块的输出端连接到功率调节判定模块的第一输入端，输出电流检测模块的输入端连接到负载输出模块，输出电流检测模块的输出端分别连接到功率调节判定模块的第二输入端和电流频率采集模块的输入端；功率调节判定模块的输出端连接到驱动控制模块的外部关断信号输入端，电流频率采集模块的输出端连接到驱动控制模块的外同步端；驱动控制模块的功率输出端连接到负载输出模块。本申请通过硬件电路本身实现晶体管驱动频率与输出电流频率的同步，提高电力输出稳定性的同时，降低能量损耗，提高电力输出效率。
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公开(公告)号：CN119199448A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411349233.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 重庆云潼科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种应用于碳化硅MOS器件的EAS测试装置及测试方法，装置包括驱动电路，驱动电路包括栅极驱动模块、隔离电源模块、开关模块；测试电路，测试电路包括待测碳化硅MOS器件；栅极驱动模块和隔离电源模块与开关模块连接，开关模块与待测碳化硅MOS器件连接；栅极驱动模块控制开关模块打开隔离电源模块提供的正电压，并连接至待测碳化硅MOS器件的门极；或者，栅极驱动模块控制开关模块打开隔离电源模块提供的负电压，并连接至待测碳化硅MOS器件的门极及开尔文脚。本发明通过隔离电源模块，能够以较低的成本实现EAS测试中待测碳化硅MOS器件所需的开启电压，同时减少开尔文脚悬空带来的卡关损耗，加速门极电荷的泄放，达到快速关断的目的。
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公开(公告)号：CN119906281A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510244514.X
申请日：2025-03-03
Applicant: 重庆云潼科技有限公司
Abstract: 本发明了公开一种隔离三相电源结构及控制方法，涉及电力工程的技术领域，该结构包括依次连接的转换模块、斩波调压模块、三相桥和电压隔离模块；所述转换模块用于将交流电转换为直流电；所述斩波调压模块用于对直流电进行调整；所述三相桥用于将调整后直流电转换为三相交流电；所述电压隔离模块用于对三相交流电进行电气隔离，将隔离后的三相交流电输出给负载。本发明通过电压隔离模块对三相输出电源隔离，保护电路，提高稳定性，并通过控制三相桥产生不同的交变电流，用以满足对应的三相负载，并通过转换模块和转变调压模块使隔离三相电源结构灵活应用于不同输入电流和输出电压的使用场景。
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公开(公告)号：CN119780654A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510105974.4
申请日：2025-01-23
Applicant: 重庆云潼科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种雪崩测试电路及方法，雪崩测试电路包括控制器、电源模块、脉冲发生模块、驱动信号切换开关、驱动模块和测试模块，其中，电源模块的正电源信号输出端连接到驱动模块，驱动信号切换开关的两个切换端分别连接到电源模块的负电源信号输出端和参考电源输出端，驱动信号切换开关的公共端连接到驱动模块，控制器分别连接到脉冲发生模块、驱动信号切换开关的控制端和测试模块，脉冲发生模块还连接到驱动模块，驱动模块连接到测试模块。本申请通过驱动信号切换开关扩展测试范围，提高雪崩测试电路适应性，且通过雪崩测试电路取代人工，简化雪崩测试流程的同时提高测试效率。
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公开(公告)号：CN119270015A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411440462.5
申请日：2024-10-16
Applicant: 重庆云潼科技有限公司
Abstract: 本申请属于逆变器电路领域，包括NPC I型三电平电路的双脉冲及短路测试方法，用于对NPC I型三电平电路的测试电路中的第一IGBT管Q1进行双脉冲及短路测试，包括如下步骤：在NPC I型三电平电路的测试电路中的第二IGBT管Q2、第三IGBT管Q3的连接点与第一二极管D1、第二二极管D2的连接点之间设置第一选择装置，用于选择对第一IGBT管Q1进行双脉冲测试、短路测试或断开连接；当第一选择装置设置为双脉冲测试时，同时对第一IGBT管Q1的门极发出双脉冲信号，对第二IGBT管Q2的门极发出高电平信号，对第三IGBT管Q3的门极、第四IGBT管Q4的门极发出低电平信号。本申请用于避免测试过程耗时过长，使得测试过程能够快速切换。
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公开(公告)号：CN119270016A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411465645.2
申请日：2024-10-21
Applicant: 重庆云潼科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供一种功率管测试模块、方法及电路板，属于功率器件测试技术领域，功率管测试模块包括被测连接端、陪测电路以及负载切换电路。其中，被测连接端与电源连接，用于接入被测管；陪测电路与被测连接端连接，用于与被测管形成半桥结构；负载切换电路包括与被测连接端和陪测电路连接的第一端以及接地的第二端，负载切换电路用于使半桥结构工作在不同负载条件下，以便测试不同负载条件下被测管的性能；通过将被测管与陪测电路连接形成半桥结构，以便模拟被测管与陪测电路形成的半桥结构的正常工作状态，再通过负载切换电路向半桥结构提供不同的负载条件，如此，实现了对被测管在多种负载条件下的全面测试。
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公开(公告)号：CN119480847A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411631393.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 重庆云潼科技有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/02 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种无引脚半导体集成功率模块与终端设备，包括外壳和基板，所述基板包括绝缘板，以及覆盖在所述绝缘板相对两面的第一金属层和第二金属层，外壳封装在基板上，所述第一金属层面向外壳，所述第一金属层于外壳的外侧设置有连接焊盘，所述连接焊盘用于连接外部PCB板，所述连接焊盘的表面覆盖有保护层。本发明的无引脚半导体集成功率模块通过连接焊盘直接对外连接，减少了导电路径，提高了电气连接的可靠性，减少了引脚尺寸公差、焊接工艺偏差等引起的接触不良的风险，改善了引脚连接方式寄生的电感电容，优化了功率模块的电磁兼容性，安全工作区等电气参数，同时增强了模块在高振动环境下的稳定性和耐用性。
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公开(公告)号：CN118487584A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410668249.3
申请日：2024-05-28
Applicant: 重庆云潼科技有限公司
IPC: H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种同时适用于IGBT和MOSFET的驱动电路，包括：信号收发控制模块，用于收发脉冲信号，还用于工作在第一工作模式下或第二工作模式下；推挽电路模块，用于在第一工作模式时导通或关断第一被测支路，还用于在第二工作模式时导通或关断第二被测支路；电源模块，用于在第一工作模式时给第一被测支路供电；稳压模块，用于在第一工作模式时给信号收发控制模块和电源模块供电，还用于在第二工作模式时为信号收发控制模块供电；其中，第一被测支路包括串联耦接的两个IGBT管，第二被测支路包括串联耦接的两个MOSFET。本发明还公开了驱动电路的控制方法，实现了一个驱动电路既能驱动IGBT，又能驱动MOSFET的目的。
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公开(公告)号：CN117955049A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410114345.3
申请日：2024-01-26
Applicant: 重庆云潼科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT驱动过流保护电路及方法，涉及电力电子技术领域，解决了现有的过流保护电路在过流时不能够及时反馈电路状态，并且不能够及时将输出信号拉低进一步使得IGBT停止工作的技术问题。该电路包括IGBT、驱动模块和控制警示模块；驱动模块的第一端与IGBT的栅极和控制警示模块的第一端相连，驱动模块的第二端接地；控制警示模块的第二端与IGBT的发射极相连，控制警示模块的第三端接地；IGBT的集电极接入供电电压。本发明在IGBT处于过流状态时，驱动模块及时的将传输的驱动电流流向控制警示模块，通过控制警示模块流向地，强制拉低IGBT的门极电压，还驱动IGBT处于断开状态，保护IGBT，同时通过控制警示模块的指示灯HL处于点亮状态进行及时提示。
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公开(公告)号：CN119780645A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411941624.3
申请日：2024-12-26
Applicant: 重庆云潼科技有限公司
Abstract: 本申请属于逆变器电路领域，包括NPC T型三电平电路的双脉冲及短路测试方法，用于对NPC T型三电平电路的测试电路中的第一IGBT管Q1进行半母线电压双脉冲及短路测试，在NPC T型三电平电路的测试电路中的依次连接的第三IGBT管Q3、第四IGBT管Q4的两端并联设置第三选择装置S3，用于选择对所述第一IGBT管Q1进行半母线电压双脉冲测试或短路测试；当第三选择装置S3设置为半母线电压双脉冲测试时，同时对第一IGBT管Q1的门极发出双脉冲信号，对第二IGBT管Q2的门极发出低电平信号，对第三IGBT管Q3的门极发出低电平信号、第四IGBT管Q4的门极发出高电平信号。本申请用于避免测试过程耗时过长，使得测试过程能够快速切换。
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