公开(公告)号：CN118588673A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410862628.6

申请日：2024-06-28

Applicant: 重庆云潼科技有限公司

Inventor： 王友强 ,  廖光朝

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  B29C39/10 ,  C08G18/67 ,  C08G18/73 ,  C08K9/02 ,  C08K3/04

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块、连接端子及连接端子制备方法，该模块被配置包括：功率芯片；DBC板，作为所述功率芯片的载体；连接端子，用于电气连接；所述连接端子被配置包括导电金属线以及包裹所述导电金属线的改性聚氨酯，所述改性聚氨酯包括丙烯酸羟乙酯、对苯二酚、六亚甲基二异氰酸酯、辛酸亚锡和改性多壁碳纳米管。本模块采用改性聚氨酯包裹导电金属线，聚氨酯具有粘弹性，能够直接与功率芯片引脚、DBC板的金属层接触粘连，聚氨酯中的改性多壁碳纳米管作为导电介质使聚氨酯具有导电效果，加之被聚氨酯包裹的导电金属线，保证了连接端子的导电性能，实现了粘连电气连接，在一定程度上减少了因焊接工艺所引起的杂散电感。

公开(公告)号：CN119480847A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411631393.6

申请日：2024-11-15

Applicant: 重庆云潼科技有限公司

Inventor： 胡绍国 ,  王友强 ,  张小兵 ,  廖光朝

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/02 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种无引脚半导体集成功率模块与终端设备，包括外壳和基板，所述基板包括绝缘板，以及覆盖在所述绝缘板相对两面的第一金属层和第二金属层，外壳封装在基板上，所述第一金属层面向外壳，所述第一金属层于外壳的外侧设置有连接焊盘，所述连接焊盘用于连接外部PCB板，所述连接焊盘的表面覆盖有保护层。本发明的无引脚半导体集成功率模块通过连接焊盘直接对外连接，减少了导电路径，提高了电气连接的可靠性，减少了引脚尺寸公差、焊接工艺偏差等引起的接触不良的风险，改善了引脚连接方式寄生的电感电容，优化了功率模块的电磁兼容性，安全工作区等电气参数，同时增强了模块在高振动环境下的稳定性和耐用性。

公开(公告)号：CN118897180A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202411211619.7

申请日：2024-08-30

Applicant: 重庆云潼科技有限公司

Inventor： 何振萍 ,  王友强 ,  廖光朝

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明涉及功率芯片检测技术领域，尤其涉及一种功率芯片的过电流能力的检测方法，该方法应用于功率芯片的检测模块，该方法包括：获取所述功率芯片的驱动模式，所述驱动模式包括三相全桥模式和H桥模式；在所述驱动模式下，控制所述检测模块检测所述功率芯片的三相电中的每相电的过电流能力；在检测所述功率芯片的每相电的过电流能力的过程中，对所述功率芯片的每相电进行预设数量测试周期的电流测试，得到所述每相电的电流有效值；若所述每相电的电流有效值均位于预设电流阈值范围，则输出所述功率芯片为合格品的结果信息。该方法兼容H桥模块和三相全桥模块的过电流能力检测，提高功率芯片的过电流能力的检测效率，提升检测可靠性和准确度。

公开(公告)号：CN118984070A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411086846.1

申请日：2024-08-08

Applicant: 重庆云潼科技有限公司

Inventor： 王友强 ,  廖光朝

IPC: H02M7/5387 ,  H02M1/32 ,  H02M1/088 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开了一种多电平功率电路、多电平实现方法及半导体模块，涉及功率电路技术领域，解决了H桥电路电平状态少，反向续流时稳定性和可靠性较低的技术问题。该电路包括三个直流输入电源、辅助单元、第一功率电路以及第二功率电路；所述第一功率电路、第二功率电路形成四开关H桥单元，辅助单元的一端与第一个直流输入电源的正极连接，另一端与第二功率电路连接，用于对第一个直流输入电源进行控制以增加负载L的输出电平状态，并对四开关H桥单元工作中的续流电流进行分流。本发明通过增加辅助单元、直流输入电源数量提高电平数量，辅助单元对续流电流进行分流，电路具有更高的性能、稳定性和安全性。

公开(公告)号：CN222530427U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202421236355.6

申请日：2024-05-31

Applicant: 重庆云潼科技有限公司

Inventor： 王友强 ,  廖光朝

IPC: H01L23/49

Abstract: 本实用新型涉及功率半导体模块技术领域，尤其是一种低功耗功率半导体模块及功率端子，包括功率输入部、功率传输部和功率输出部，所述功率传输部的输入端和输出端分别与功率输入部和功率输出部连接；所述功率传输部为中空结构；功率传输部的壁厚为1至2毫米。采用本方案，能够在控制成本的前提下，扩大功率端子的有效电流截面积，减小由于趋肤效应导致的有效电阻的增加，从而降低功率损耗，提升半导体模块的性能。

公开(公告)号：CN222720421U

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202421348821.X

申请日：2024-06-13

Applicant: 重庆云潼科技有限公司

Inventor： 王友强 ,  王振萍 ,  廖光朝

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 本实用新型提供了一种功率器件封装结构，包括：功率芯片，功率散热引脚和塑封体；所述功率芯片与所述功率散热引脚的第一端接触式电气连接，并被所述塑封体密封；所述功率散热引脚的第二端裸露于所述塑封体外用于外部电气连接及所述功率芯片的散热。本实用新型提供的封装结构的功率散热引脚与功率芯片直接连接，器件工作时，热量直接通过功率散热引脚进行散热，提高了器件的散热性能；本封装结构功率芯片与功率散热引脚的第一端接触式(贴合)电气连接，解决了现有技术TO单管功率芯片芯片和引脚采用键合线连接导致工艺繁琐的技术问题，节省工艺和设备，降低了器件生产成本。