公开(公告)号：CN112063984B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202010897689.8

申请日：2020-08-31

Applicant: 重庆大学

Inventor： 王飞鹏 ,  赵琦 ,  李剑 ,  黄正勇 ,  陈伟根 ,  王有元 ,  潘建宇 ,  谭亚雄 ,  王强 ,  杜林 ,  周湶 ,  谢贵柏 ,  崔万照

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  H01B17/60

Abstract: 本发明公开了一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法和应用，属于薄膜材料技术领域。氟化非晶碳薄膜由基底层和沉积在其表面的氟化非晶碳薄膜组成。制备包括：将基底层清洗，干燥；打磨聚四氟乙烯靶和石墨靶，并清洗；将预处理后的基底层和靶材放入镀膜室，抽本底真空，通入惰性气体进行预溅射；分别用射频和直流溅射，在基底层表面共溅射，得到氟化非晶碳薄膜。本发明的氟化非晶碳薄膜，通过化学组分和微结构的变化调控薄膜的微观形貌和带隙宽度，从而影响内二次电子出射时的散射强度，以降低薄膜的二次电子发射系数，且具有制备方法简单、实用性好可重复性强、薄膜成分高度可控等优点，在高压绝缘材料领域具有潜在的应用前景。

公开(公告)号：CN112063984A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010897689.8

申请日：2020-08-31

Applicant: 重庆大学

Inventor： 王飞鹏 ,  赵琦 ,  李剑 ,  黄正勇 ,  陈伟根 ,  王有元 ,  潘建宇 ,  谭亚雄 ,  王强 ,  杜林 ,  周湶 ,  谢贵柏 ,  崔万照

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  H01B17/60

Abstract: 本发明公开了一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法和应用，属于薄膜材料技术领域。氟化非晶碳薄膜由基底层和沉积在其表面的氟化非晶碳薄膜组成。制备包括：将基底层清洗，干燥；打磨聚四氟乙烯靶和石墨靶，并清洗；将预处理后的基底层和靶材放入镀膜室，抽本底真空，通入惰性气体进行预溅射；分别用射频和直流溅射，在基底层表面共溅射，得到氟化非晶碳薄膜。本发明的氟化非晶碳薄膜，通过化学组分和微结构的变化调控薄膜的微观形貌和带隙宽度，从而影响内二次电子出射时的散射强度，以降低薄膜的二次电子发射系数，且具有制备方法简单、实用性好可重复性强、薄膜成分高度可控等优点，在高压绝缘材料领域具有潜在的应用前景。