一种TiC纳米管阵列材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114388275B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202210068209.6

    申请日:2022-01-20

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种TiC纳米管阵列材料及其制备方法和应用。所述TiC纳米管阵列材料为TiC纳米管生长在钛基体上,具有高度定向和高度有序性,所述TiC纳米管的管径为80nm-150nm。所述制备方法为S1、采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列;S2、将制备的TiO2纳米管阵列以5‑10℃/min 的升温速率加热到400℃,退火2 h;S3、以混合熔盐CaCl2‑KCl‑LiCl为电解质,以退火后的TiO2纳米管阵列作为阴极,石墨棒为阳极,配入CO32‑作为碳源,在真空下进行电解,得到TiC纳米管阵列材料。所述应用为采用所述TiC纳米管阵列材料作为电极片,用于制作超级电容器。本发明制备的TiC纳米管阵列材料具有比表面积大、电子传递直接、能量密度高、柔韧性好、化学稳定性好等优点,展现出卓越的超级电容器性能。

    一种TiC纳米管阵列材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114388275A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202210068209.6

    申请日:2022-01-20

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种TiC纳米管阵列材料及其制备方法和应用。所述TiC纳米管阵列材料为TiC纳米管生长在钛基体上,具有高度定向和高度有序性,所述TiC纳米管的管径为80nm-150nm。所述制备方法为S1、采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列;S2、将制备的TiO2纳米管阵列以5‑10℃/min的升温速率加热到400℃,退火2 h;S3、以混合熔盐CaCl2‑KCl‑LiCl为电解质,以退火后的TiO2纳米管阵列作为阴极,石墨棒为阳极,配入CO32‑作为碳源,在真空下进行电解,得到TiC纳米管阵列材料。所述应用为采用所述TiC纳米管阵列材料作为电极片,用于制作超级电容器。本发明制备的TiC纳米管阵列材料具有比表面积大、电子传递直接、能量密度高、柔韧性好、化学稳定性好等优点,展现出卓越的超级电容器性能。

    一种基于高炉中部、顶部煤气双循环的炼铁方法

    公开(公告)号:CN118600117A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410662937.9

    申请日:2024-05-27

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于高炉中部、顶部煤气双循环的炼铁方法,通过高炉送风系统,通入富氧气体、富氢气体实现富氧、富氢冶炼;在高炉中部,对应水煤气置换反应开始发生处,通过煤气导出管引出部分高炉中部煤气,经除尘、脱除CO2、脱湿处理,再将其加热、加压从高炉中部通入高炉内以实现煤气初循环;对高炉的炉顶煤气进行除尘、脱CO2、脱湿处理,加热后从高炉进风口再循环入高炉。本发明通过鼓入富氧代替空气鼓风,强化炉内燃料燃烧,降低燃料比,提高煤气热值,降低煤气中N2比例、降低CO2分离成本;通过脱碳、除湿将高炉中部、顶部煤气中的CO2和H2O脱除,抑制水煤气置换反应的发生,提高H2的利用率,降低碳排放。

Patent Agency Ranking